Semiconductors - Discretes

: Atrasti 4 929 produkti
Salīdzināt atlasīto

Kārtot pēc

  Ražotāja detaļas Nr. Pasūtījuma kods Ražotājs / apraksts
Pieejamība Cena par
Daudzums
 
 
1N5339BG
1N5339BG

9557962

ON SEMICONDUCTOR

Zener Single Diode, 5.6 V, 5 W, 017AA, 5 %, 2 Pins, 200 °C

DIODE, ZENER, 5.6V, 5W, 017AA; Zener Voltage Vz Typ:5.6V; Power Dissipation Pd:5W; Diode Case Style:017AA; Zener Tolerance ±:5%; No. of Pins:2Pins; Operating Temperature Max:200°C; Packaging:Each; Product Range:1N53 Series; Automotive Qualification Stand

45 227   Noliktavā  
+ Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

45 227 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

  • 2 000 būs pieejams piegādei datumā 2018.12.1
  • 8 000 būs pieejams piegādei datumā 2018.9.2
  • 2 000 būs pieejams piegādei datumā 2018.16.2
  • 2 000 būs pieejams piegādei datumā 2018.28.2
  • Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 18.12.3

    Vienība

    1+ 0,321 € 25+ 0,301 € 100+ 0,184 € vairāk_

    Pirkt
    MBR0540T3G
    MBR0540T3G

    2101839

    ON SEMICONDUCTOR

    Schottky Rectifier, 40 V, 500 mA, Single, SOD-123, 2 Pins, 620 mV

    DIODE, SCHOTTKY, 0.5A, 40V, SOD-123; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:40V; Forward Current If(AV):500mA; Diode Configuration:Single; Diode Case Style:SOD-123; No. of Pins:2Pins; Forward Voltage VF Max:620mV; Forward Surge Current Ifsm Max:5.5A; Operat

    33 398   Noliktavā  
    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    33 398 noliktavā piegādei nākamajā dienā (Liege noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 17.4.9

    Vienība

    1+ 0,271 € 25+ 0,259 € 100+ 0,104 € vairāk_

    Pirkt
    BAS16LT3G
    BAS16LT3G

    2317451

    ON SEMICONDUCTOR

    Small Signal Diode, Single, 75 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA

    DIODE, SMALL SIGNAL, 75V, SOT-23-3; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:75V; Forward Current If(AV):150mA; Forward Voltage VF Max:1.25V; Reverse Recovery Time trr Max:6ns; Forward Surge Current Ifsm Max:500mA; Operating Temper

    53 611   Noliktavā  
    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    53 611 noliktavā piegādei nākamajā dienā (Liege noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 17.28.8

    Vienība

    1+ 0,107 € 25+ 0,105 € 100+ 0,037 € vairāk_

    Pirkt
    MBRS140T3G
    MBRS140T3G

    9557237

    ON SEMICONDUCTOR

    Schottky Rectifier, 40 V, 1 A, Single, DO-214AA, 2 Pins, 600 mV

    DIODE, SCHOTTKY, 1A, 40V, DO-214AA; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:40V; Forward Current If(AV):1A; Diode Configuration:Single; Diode Case Style:DO-214AA; No. of Pins:2Pins; Forward Voltage VF Max:600mV; Forward Surge Current Ifsm Max:40A; Operating

    33 527   Noliktavā  
    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    33 527 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 17.23.10

    Iepakojuma iespējas
    Ieteikts aizstājējs kodam :9557237
    9557237RL iepakojumā Pārtinamais produkts
    2317683 iepakojumā Tinums

    Vienība (piegādāta grieztā lentā)

    5+ 0,341 € 50+ 0,152 € 250+ 0,139 € vairāk_

    Pirkt
    BC817-25LT3G
    BC817-25LT3G

    2533301

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 40 hFE

    TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, SOT-23-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:40hFE; Transistor Case Style:SOT-23; No. o

    39 712   Noliktavā  
    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    39 712 noliktavā piegādei nākamajā dienā (Liege noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 17.17.7

    Iepakojuma iespējas
    Ieteikts aizstājējs kodam :2533301
    2533301RL iepakojumā Pārtinamais produkts

    Vienība (piegādāta grieztā lentā)

    1+ 0,108 € 10+ 0,0992 € 100+ 0,036 € vairāk_

    Pirkt
    MURS120T3G
    MURS120T3G

    9557458

    ON SEMICONDUCTOR

    Fast / Ultrafast Diode, 200 V, 1 A, Single, 875 mV, 35 ns, 40 A

    DIODE, ULTRAFAST, 1A, 200V, SMB; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:200V; Forward Current If(AV):1A; Diode Configuration:Single; Forward Voltage VF Max:875mV; Reverse Recovery Time trr Max:35ns; Forward Surge Current Ifsm Max:40A; Operating Temperature

    36 813   Noliktavā  
    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    36 813 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 18.5.2

    Iepakojuma iespējas
    Ieteikts aizstājējs kodam :9557458
    9557458RL iepakojumā Pārtinamais produkts
    2317657 iepakojumā Tinums

    Vienība (piegādāta grieztā lentā)

    5+ 0,374 € 50+ 0,167 € 250+ 0,153 € vairāk_

    Pirkt
    BAV70LT3G
    BAV70LT3G

    2533388

    ON SEMICONDUCTOR

    Small Signal Diode, Dual Common Cathode, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA

    SWITCHING DIODE, 100V, 0.2A, SOT-23; Diode Configuration:Dual Common Cathode; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:100V; Forward Current If(AV):200mA; Forward Voltage VF Max:1.25V; Reverse Recovery Time trr Max:6ns; Forward Surge Current Ifsm Max:500mA; O

    34 662   Noliktavā  
    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    34 662 noliktavā piegādei nākamajā dienā (Liege noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 17.28.8

    Iepakojuma iespējas
    Ieteikts aizstājējs kodam :2533388
    2533388RL iepakojumā Pārtinamais produkts

    Vienība (piegādāta grieztā lentā)

    1+ 0,0995 € 10+ 0,0856 € 100+ 0,0326 € vairāk_

    Pirkt
    BC846BLT3G
    BC846BLT3G

    2533304

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 65 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE

    TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 65V, SOT-23-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:65V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:200hFE; Transistor Case Style:SOT-23; No.

    29 816   Noliktavā  
    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    29 816 noliktavā piegādei nākamajā dienā (Liege noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 17.28.8

    Iepakojuma iespējas
    Ieteikts aizstājējs kodam :2533304
    2533304RL iepakojumā Pārtinamais produkts

    Vienība (piegādāta grieztā lentā)

    1+ 0,11 € 10+ 0,0985 € 100+ 0,037 € vairāk_

    Pirkt
    BSS138LT3G
    BSS138LT3G

    2101819

    ON SEMICONDUCTOR

    MOSFET Transistor, N Channel, 200 mA, 50 V, 5.6 ohm, 2.75 V, 500 mV

    MOSFET, N CH, 50V, 0.2A, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:50V; On Resistance Rds(on):5.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:2.75V; Threshold Voltage Vgs:500mV; Power Dissipation Pd:225mW; Transi

    28 004   Noliktavā  
    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    28 004 noliktavā piegādei nākamajā dienā (Liege noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

  • 10 000 būs pieejams piegādei datumā 2017.26.6
  • Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 17.4.12

    Vienība

    1+ 0,18 € 25+ 0,176 € 100+ 0,077 € vairāk_

    Pirkt
    MBR130T1G
    MBR130T1G

    1431045

    ON SEMICONDUCTOR

    Schottky Rectifier, 30 V, 1 A, Single, SOD-123, 2 Pins, 450 mV

    DIODE, SCHOTTKY, 1A, 30V, SOD-123; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:30V; Forward Current If(AV):1A; Diode Configuration:Single; Diode Case Style:SOD-123; No. of Pins:2Pins; Forward Voltage VF Max:450mV; Forward Surge Current Ifsm Max:5.5A; Operating T

    24 278   Noliktavā  
    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    24 278 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 18.12.3

    Iepakojuma iespējas
    Ieteikts aizstājējs kodam :1431045
    1431045RL iepakojumā Pārtinamais produkts
    2336848 iepakojumā Tinums

    Vienība (piegādāta grieztā lentā)

    5+ 0,311 € 50+ 0,139 € 250+ 0,127 € vairāk_

    Pirkt
    MMBT3906LT3G
    MMBT3906LT3G

    2630346

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -40 V, 250 MHz, 225 mW, -200 mA, 30 hFE

    TRANS, BIPOL, PNP, -40V, SOT-23-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Transition Frequency ft:250MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:-200mA; DC Current Gain hFE:30hFE; Transistor Case Style:SOT-23; No. of

    27 253 Noliktavā

    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    27 253 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 17.14.8

    Iepakojuma iespējas
    Ieteikts aizstājējs kodam :2630346
    2630346RL iepakojumā Pārtinamais produkts

    Vienība (piegādāta grieztā lentā)

    1+ 0,0724 € 10+ 0,0574 € 100+ 0,0258 € vairāk_

    Pirkt
    BAW56LT3G
    BAW56LT3G

    2535688

    ON SEMICONDUCTOR

    Small Signal Diode, Dual Common Anode, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 4 A

    SW DIODE, 70V, 0.2A, SOT-23; Diode Configuration:Dual Common Anode; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:70V; Forward Current If(AV):200mA; Forward Voltage VF Max:1.25V; Reverse Recovery Time trr Max:6ns; Forward Surge Current Ifsm Max:4A; Operating Tempe

    26 024   Noliktavā  
    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    26 024 noliktavā piegādei nākamajā dienā (Liege noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 17.28.8

    Iepakojuma iespējas
    Ieteikts aizstājējs kodam :2535688
    2535688RL iepakojumā Pārtinamais produkts

    Vienība (piegādāta grieztā lentā)

    1+ 0,108 € 10+ 0,096 € 100+ 0,0326 € vairāk_

    Pirkt
    MMBT4403LT3G
    MMBT4403LT3G

    2533332

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -40 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 20 hFE

    TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -40V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:-600mA; DC Current Gain hFE:20hFE; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:

    25 648   Noliktavā  
    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    25 648 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 17.28.8

    Iepakojuma iespējas
    Ieteikts aizstājējs kodam :2533332
    2533332RL iepakojumā Pārtinamais produkts

    Vienība (piegādāta grieztā lentā)

    1+ 0,108 € 10+ 0,0946 € 100+ 0,0337 € vairāk_

    Pirkt
    MMBT4401LT3G
    MMBT4401LT3G

    2317550

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 250 MHz, 225 mW, 600 mA, 20 hFE

    TRANSISTOR, NPN, 40V, 600MA, SOT-23-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:250MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:20hFE; Transistor Case Style:SOT-23; No. o

    24 433   Noliktavā  
    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    24 433 noliktavā piegādei nākamajā dienā (Liege noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 17.27.11

    Vienība

    1+ 0,0976 € 25+ 0,096 € 100+ 0,0339 € vairāk_

    Pirkt
    MMBT2907ALT3G
    MMBT2907ALT3G

    2533328

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 50 hFE

    TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -60V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:-600mA; DC Current Gain hFE:50hFE; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:

    22 006   Noliktavā  
    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    22 006 noliktavā piegādei nākamajā dienā (Liege noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 17.7.8

    Iepakojuma iespējas
    Ieteikts aizstājējs kodam :2533328
    2533328RL iepakojumā Pārtinamais produkts

    Vienība (piegādāta grieztā lentā)

    1+ 0,108 € 10+ 0,0946 € 100+ 0,0326 € vairāk_

    Pirkt
    NTD5865NLT4G
    NTD5865NLT4G

    1879962

    ON SEMICONDUCTOR

    MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 60 V, 0.013 ohm, 10 V, 1 V

    MOSFET,N CH,W DIODE,60V,40A,DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.013ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation Pd:52W; Transistor C

    21 586   Noliktavā  
    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    21 586 noliktavā piegādei nākamajā dienā (Liege noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 17.31.7

    Iepakojuma iespējas
    Ieteikts aizstājējs kodam :1879962
    1879962RL iepakojumā Pārtinamais produkts

    Vienība (piegādāta grieztā lentā)

    1+ 0,584 € 25+ 0,535 € 100+ 0,328 € vairāk_

    Pirkt
    1N4004RL
    1N4004RL

    9556109

    ON SEMICONDUCTOR

    Standard Recovery Diode, 400 V, 1 A, Single, 1.1 V, 30 A

    DIODE, STANDARD, 1A, 400V, DO-41; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:400V; Forward Current If(AV):1A; Diode Configuration:Single; Forward Voltage VF Max:1.1V; Reverse Recovery Time trr Max:-; Forward Surge Current Ifsm Max:30A; Operating Temperature Max

    19 995   Noliktavā  
    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    19 995 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 17.3.7

    Vienība

    1+ 0,181 € 25+ 0,177 € 100+ 0,0586 € vairāk_

    Pirkt
    1SMB5929BT3G
    1SMB5929BT3G

    1459014

    ON SEMICONDUCTOR

    Zener Single Diode, General Purpose, 15 V, 3 W, DO-214AA, 5 %, 2 Pins, 150 °C

    DIODE, ZENER, 15V, 3W; Zener Voltage Vz Typ:15V; Power Dissipation Pd:3W; Diode Case Style:DO-214AA; Zener Tolerance ±:5%; No. of Pins:2Pins; Operating Temperature Max:150°C; Packaging:Cut Tape; Product Range:1SMB59xxBT3G Series; Automotive Qualification

    18 013   Noliktavā  
    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    18 013 noliktavā piegādei nākamajā dienā (Liege noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 17.23.10

    Iepakojuma iespējas
    Ieteikts aizstājējs kodam :1459014
    1459014RL iepakojumā Pārtinamais produkts
    2440678 iepakojumā Tinums

    Vienība (piegādāta grieztā lentā)

    5+ 0,347 € 50+ 0,154 € 250+ 0,142 € vairāk_

    Pirkt
    1N4007G
    1N4007G

    1458987

    ON SEMICONDUCTOR

    Standard Power Diode, 1 kV, 1 A, Single, 570 mV, 30 A

    DIODE, STANDARD, 1A, 1KV, DO-41; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:1kV; Forward Current If(AV):1A; Diode Configuration:Single; Forward Voltage VF Max:570mV; Reverse Recovery Time trr Max:-; Forward Surge Current Ifsm Max:30A; Operating Temperature Max:

    17 832   Noliktavā  
    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    17 832 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 17.10.7

    Vienība

    1+ 0,184 € 25+ 0,0428 € 100+ 0,0419 € vairāk_

    Pirkt
    MMBT2222ALT3G
    MMBT2222ALT3G

    2627984

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 600 mA, 40 hFE

    TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.225W, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:40hFE; Transistor Case Style:SOT-23; No. of

    17 431 Noliktavā

    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    17 431 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 17.6.11

    Iepakojuma iespējas
    Ieteikts aizstājējs kodam :2627984
    2627984RL iepakojumā Pārtinamais produkts

    Vienība (piegādāta grieztā lentā)

    1+ 0,0944 € 10+ 0,0321 € 100+ 0,0152 €

    Pirkt
    MMUN2131LT1G
    MMUN2131LT1G

    2727988

     
    Jauns produkts
    Technical Data Sheet (170.74KB) EN
    Griežamā lente

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 (Ratio), SOT-23

    TRANSISTOR, AEC-Q101, PNP, 50V, SOT-23; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:2.2kohm; Base-Emitter Resistor R2:2.2kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:1(Ratio); RF Transistor Case:SOT-23; No. of P

    17 980 Noliktavā

    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    17 980 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 17.7.8

    Iepakojuma iespējas
    Ieteikts aizstājējs kodam :2727988
    2727988RL iepakojumā Pārtinamais produkts

    Vienība (piegādāta grieztā lentā)

    1+ 0,13 € 10+ 0,0996 € 100+ 0,0389 € vairāk_

    Pirkt
    BC858AWT1G
    BC858AWT1G

    2724351

     
    Jauns produkts
    Technical Data Sheet (78.33KB) EN
    Atbilst RoHS
    Griežamā lente

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -30 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 125 hFE

    TRANSISTOR, AEC-Q101, PNP, -30V, SOT-323; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-30V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:125hFE; Transistor Case Style:SOT-323

    17 966 Noliktavā

    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    17 966 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 17.19.6

    Iepakojuma iespējas
    Ieteikts aizstājējs kodam :2724351
    2724351RL iepakojumā Pārtinamais produkts

    Vienība (piegādāta grieztā lentā)

    1+ 0,0944 € 10+ 0,0749 € 100+ 0,0336 € vairāk_

    Pirkt
    MMBD7000LT3G
    MMBD7000LT3G

    2533391

    ON SEMICONDUCTOR

    Small Signal Diode, Dual Series, 100 V, 200 mA, 1.1 V, 4 ns, 500 mA

    SW DIODE, 100V, 0.2A, SOT-23; Diode Configuration:Dual Series; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:100V; Forward Current If(AV):200mA; Forward Voltage VF Max:1.1V; Reverse Recovery Time trr Max:4ns; Forward Surge Current Ifsm Max:500mA; Operating Tempera

    17 952   Noliktavā  
    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    17 952 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 17.31.7

    Iepakojuma iespējas
    Ieteikts aizstājējs kodam :2533391
    2533391RL iepakojumā Pārtinamais produkts

    Vienība (piegādāta grieztā lentā)

    1+ 0,119 € 10+ 0,106 € 100+ 0,0402 € vairāk_

    Pirkt
    BC856BM3T5G
    BC856BM3T5G

    2533313

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -65 V, 100 MHz, 265 mW, -100 mA, 220 hFE

    TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -65V, SOT-723-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-65V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:265mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:220hFE; Transistor Case Style:SOT-723;

    17 859   Noliktavā  
    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    17 859 noliktavā piegādei nākamajā dienā (Liege noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 17.10.7

    Iepakojuma iespējas
    Ieteikts aizstājējs kodam :2533313
    2533313RL iepakojumā Pārtinamais produkts

    Vienība (piegādāta grieztā lentā)

    1+ 0,238 € 10+ 0,16 € 100+ 0,0647 € vairāk_

    Pirkt
    BC817-40LT3G
    BC817-40LT3G

    2533302

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 40 hFE

    TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, SOT-23-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:40hFE; Transistor Case Style:SOT-23; No. o

    17 282   Noliktavā  
    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    17 282 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 17.3.7

    Iepakojuma iespējas
    Ieteikts aizstājējs kodam :2533302
    2533302RL iepakojumā Pārtinamais produkts

    Vienība (piegādāta grieztā lentā)

    1+ 0,101 € 10+ 0,0931 € 100+ 0,0359 € vairāk_

    Pirkt
    Salīdzināt atlasīto
    Rezultāti lapā
    Search:Category Search Results - Show All