Low

INFINEON  IPP072N10N3GXKSA1  MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 100 V, 0.0062 ohm, 10 V, 2.7 V

INFINEON IPP072N10N3GXKSA1
Technical Data Sheet (573.68KB) EN Skatiet visus tehniskos dokumentus

Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.

Produktu pārskats

The IPP072N10N3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS (ON) and FOM.
  • World's lowest RDS (ON)
  • Very low Qg and Qgd
  • Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
  • Environmentally friendly
  • Increased efficiency
  • Highest power density
  • Less paralleling required
  • Smallest board-space consumption
  • Easy-to-design products
  • Halogen-free
  • MSL1 rated 2

Informācija par produktiem

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
80A
Drain Source Voltage Vds:
100V
On Resistance Rds(on):
0.0062ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
2.7V
Power Dissipation Pd:
150W
Transistor Case Style:
TO-220
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
175°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Atrast līdzīgus produktus , kuri ir grupēti pēc kopīgiem atribūtiem

Lietošanas veidi

  • Power Management;
  • Audio;
  • Motor Drive & Control;
  • Industrial;
  • Automotive

Zināms arī kā

IPP072N10N3 G , SP000680830

Tiesību akti un vides aizsardzība

Jutības līmenis attiecībā pret mitrumu:
MSL 1 - Unlimited
Izcelsmes valsts:
China

Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process

Atbilst RoHS:
Tarifa Nr.:
85412900
Svars (kg):
.002008

Alternatīvas

MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 100 V, 0.0068 ohm, 10 V, 4.5 V

STMICROELECTRONICS

1 000 Noliktavā

Cena par: Vienība

1+ 2,09 € 10+ 1,88 € 100+ 1,51 € 250+ 1,38 € vairāk_

Pirkt