Low

IPP072N10N3GXKSA1 - 

MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 100 V, 0.0062 ohm, 10 V, 2.7 V

INFINEON IPP072N10N3GXKSA1

Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.

Ražotāja detaļas Nr.:
IPP072N10N3GXKSA1
Pasūtījuma kods:
2480851
Zināms arī kā:
IPP072N10N3 G , SP000680830
Tehnisko datu lapa:
(EN)
Skatiet visus tehniskos dokumentus

Informācija par produktiem

:
150W
:
175°C
:
80A
:
N Channel
:
3Pins
:
2.7V
:
-
:
-
:
100V
:
10V
:
TO-220
:
0.0062ohm
:
MSL 1 - Unlimited
Atrast līdzīgus produktus Izvēlieties un mainiet iepriekš redzamos atribūtus, lai atrastu līdzīgus izstrādājumus.

Produktu pārskats

The IPP072N10N3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS (ON) and FOM.
  • World's lowest RDS (ON)
  • Very low Qg and Qgd
  • Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
  • Environmentally friendly
  • Increased efficiency
  • Highest power density
  • Less paralleling required
  • Smallest board-space consumption
  • Easy-to-design products
  • Halogen-free
  • MSL1 rated 2

Lietošanas veidi

Power Management, Audio, Motor Drive & Control, Industrial, Automotive

Zināms arī kā

IPP072N10N3 G , SP000680830

Alternatīvas

Salīdzināt atlasīto
Ražotāja detaļas numurs
Pasūtījuma kods
Ražotājs / apraksts
Pieejamība
Cena par
Daudzums
786 Noliktavā

Vienība

1+ 2,16 € 10+ 1,9 € 100+ 1,52 € 250+ 1,43 € vairāk_