IGBT Arrays & Modules

: Atrasti 416 produkti
Filtru izkārtojums:
0 Izvēlēts filtrs(-i)
Atrasti 416 produkti Lai atjauninātu rezultātus, noklikšķiniet uz Lietot filtrus
Min./maks. Pieejamība

Atzīmējot izvēles rūtiņu Atcerēties, mēs saglabāsim jūsu jaunākās filtru preferences turpmākai meklēšanai

Saderība
Min./maks. Transistor Polarity
Min./maks. DC Collector Current
Min./maks. Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
Min./maks. Power Dissipation Pd
Min./maks. Collector Emitter Voltage V(br)ceo
Min./maks. Transistor Case Style
Min./maks. No. of Pins
Min./maks. Operating Temperature Max
Min./maks. Product Range
Iepakojums

Šobrīd līgumcenas nav pieejamas skatīšanai. Redzamās cenas ir standarta mazumtirdzniecības cenas. Apstrādes laikā veiktajiem pasūtījumiem tiks piemērota līgumcena.

 
Salīdzināt atlasīto Salīdzināt
Paplašinātie atribūti Atribūti
Pievienot rekvizītus lapai

Atlasiet rekvizītus, kas jāpievieno kolonnām tabulas beigās.

  Ražotāja detaļas Nr. Pasūtījuma kods Apraksts / Ražotājs
Pieejamība Cena par
Cena
Daudzums
Transistor Polarity DC Collector Current Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) Power Dissipation Pd Collector Emitter Voltage V(br)ceo Transistor Case Style No. of Pins Operating Temperature Max Product Range
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
STGIPS10K60A
STGIPS10K60A - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 10 A, 600 V, 33 W, SDIP

1889350

IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 10 A, 600 V, 33 W, SDIP

STMICROELECTRONICS

Transistor Polarity N Channel
DC Collector Current 10A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 600V

+ Skatīt visu produktu informāciju

STMICROELECTRONICS 

IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 10 A, 600 V, 33 W, SDIP

Transistor Polarity N Channel
DC Collector Current 10A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 600V
Power Dissipation Pd 33W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo -
Transistor Case Style SDIP
No. of Pins 25Pins
Operating Temperature Max 125°C
Product Range -

nav pieejams

1+ 11,22 € Cena par 5+ 10,55 € Cena par 10+ 9,30 € Cena par 50+ 8,67 € Cena par 100+ 8,04 € Cena par 250+ 7,78 € Cena par Citas cenas...

Daudz.

Vienība

1+ 11,22 € 5+ 10,55 € 10+ 9,30 € 50+ 8,67 € 100+ 8,04 € 250+ 7,78 € Citas cenas...

Ierobežots vienums
Piev.
Min: 1 Mult: 1
N Channel 10A 600V 33W - SDIP 25Pins 125°C -
FS150R12KE3BOSA1
FS150R12KE3BOSA1 - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 200 A, 1.7 V, 700 W, 1.2 kV, Module

2726177

IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 200 A, 1.7 V, 700 W, 1.2 kV, Module

INFINEON

Transistor Polarity N Channel
DC Collector Current 200A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.7V

+ Skatīt visu produktu informāciju

INFINEON 

IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 200 A, 1.7 V, 700 W, 1.2 kV, Module

+ Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

2 noliktavā piegādei nākamajā dienā (Liege noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

6 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

  • 10 vairāk būs pieejami 20.23.9
  • Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 20.9.11

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 200A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.7V
    Power Dissipation Pd 700W
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins -
    Operating Temperature Max 125°C
    Product Range Econo 3 Series

    8 Noliktavā

    1+ 159,00 € Cena par 5+ 149,00 € Cena par 10+ 139,00 € Cena par

    Daudz.

    Vienība

    1+ 159,00 € 5+ 149,00 € 10+ 139,00 €

    Ierobežots vienums
    Piev.
    Min: 1 Mult: 1
    N Channel 200A 1.7V 700W 1.2kV Module - 125°C Econo 3 Series
    FZ400R12KE3HOSA1
    FZ400R12KE3HOSA1 - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 650 A, 1.7 V, 2.25 kW, 1.2 kV, Module

    2726198

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 650 A, 1.7 V, 2.25 kW, 1.2 kV, Module

    INFINEON

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 650A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.7V

    + Skatīt visu produktu informāciju

    INFINEON 

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 650 A, 1.7 V, 2.25 kW, 1.2 kV, Module

    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    5 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 20.7.12

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 650A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.7V
    Power Dissipation Pd 2.25kW
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins -
    Operating Temperature Max 125°C
    Product Range Standard 62mm Series

    45 Noliktavā

    1+ 91,80 € Cena par 5+ 83,77 € Cena par 10+ 75,74 € Cena par

    Daudz.

    Vienība

    1+ 91,80 € 5+ 83,77 € 10+ 75,74 €

    Ierobežots vienums
    Piev.
    Min: 1 Mult: 1
    N Channel 650A 1.7V 2.25kW 1.2kV Module - 125°C Standard 62mm Series
    FS100R12KT4GBOSA1
    FS100R12KT4GBOSA1 - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 100 A, 1.75 V, 515 W, 1.2 kV, Module

    2726175

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 100 A, 1.75 V, 515 W, 1.2 kV, Module

    INFINEON

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 100A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.75V

    + Skatīt visu produktu informāciju

    INFINEON 

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 100 A, 1.75 V, 515 W, 1.2 kV, Module

    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    1 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 20.9.11

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 100A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.75V
    Power Dissipation Pd 515W
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins -
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range EconoPACK 3 Series

    61 Noliktavā

    1+ 138,00 € Cena par 5+ 128,00 € Cena par 10+ 117,00 € Cena par

    Daudz.

    Vienība

    1+ 138,00 € 5+ 128,00 € 10+ 117,00 €

    Ierobežots vienums
    Piev.
    Min: 1 Mult: 1
    N Channel 100A 1.75V 515W 1.2kV Module - 150°C EconoPACK 3 Series
    SKM400GA12T4
    SKM400GA12T4 - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 616 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module

    2749605

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 616 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module

    SEMIKRON

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 616A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.8V

    + Skatīt visu produktu informāciju

    SEMIKRON 

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 616 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module

    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    5 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 20.5.10

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 616A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.8V
    Power Dissipation Pd -
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins -
    Operating Temperature Max 175°C
    Product Range SEMITRANS 4 Series

    5 Noliktavā

    1+ 171,00 € Cena par 5+ 140,00 € Cena par 10+ 120,00 € Cena par

    Daudz.

    Vienība

    1+ 171,00 € 5+ 140,00 € 10+ 120,00 €

    Ierobežots vienums
    Piev.
    Min: 1 Mult: 1
    N Channel 616A 1.8V - 1.2kV Module - 175°C SEMITRANS 4 Series
    FS75R12KE3BOSA1
    FS75R12KE3BOSA1 - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 105 A, 1.7 V, 20 mW, 1.2 kV, Module

    2726189

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 105 A, 1.7 V, 20 mW, 1.2 kV, Module

    INFINEON

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 105A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.7V

    + Skatīt visu produktu informāciju

    INFINEON 

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 105 A, 1.7 V, 20 mW, 1.2 kV, Module

    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    7 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

  • 20 vairāk būs pieejami 20.19.9
  • Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 20.9.11

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 105A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.7V
    Power Dissipation Pd 20mW
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins -
    Operating Temperature Max 125°C
    Product Range EconoPACK 2 Series

    7 Noliktavā

    1+ 87,63 € Cena par 5+ 84,24 € Cena par 10+ 80,85 € Cena par 50+ 73,89 € Cena par

    Daudz.

    Vienība

    1+ 87,63 € 5+ 84,24 € 10+ 80,85 € 50+ 73,89 €

    Ierobežots vienums
    Piev.
    Min: 1 Mult: 1
    N Channel 105A 1.7V 20mW 1.2kV Module - 125°C EconoPACK 2 Series
    FZ3600R17HP4B2BOSA2
    FZ3600R17HP4B2BOSA2 - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 3.6 kA, 1.9 V, 19.5 kW, 1.7 kV, Module

    2839520

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 3.6 kA, 1.9 V, 19.5 kW, 1.7 kV, Module

    INFINEON

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 3.6kA
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.9V

    + Skatīt visu produktu informāciju

    INFINEON 

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 3.6 kA, 1.9 V, 19.5 kW, 1.7 kV, Module

    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    2 noliktavā piegādei nākamajā dienā (Liege noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 21.10.5

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 3.6kA
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.9V
    Power Dissipation Pd 19.5kW
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.7kV
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins -
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range -

    2 Noliktavā

    1+ 1 521,00 € Cena par

    Daudz.

    Vienība

    1+ 1 521,00 €

    Ierobežots vienums
    Piev.
    Min: 1 Mult: 1
    N Channel 3.6kA 1.9V 19.5kW 1.7kV Module - 150°C -
    FS150R12KT3BOSA1
    FS150R12KT3BOSA1 - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 200 A, 1.7 V, 700 W, 1.2 kV, Module

    2726178

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 200 A, 1.7 V, 700 W, 1.2 kV, Module

    INFINEON

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 200A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.7V

    + Skatīt visu produktu informāciju

    INFINEON 

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 200 A, 1.7 V, 700 W, 1.2 kV, Module

    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    2 noliktavā piegādei nākamajā dienā (Liege noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    15 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 20.9.11

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 200A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.7V
    Power Dissipation Pd 700W
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins -
    Operating Temperature Max 125°C
    Product Range EconoPACK 3 Series

    17 Noliktavā

    1+ 178,00 € Cena par 5+ 167,00 € Cena par 10+ 156,00 € Cena par

    Daudz.

    Vienība

    1+ 178,00 € 5+ 167,00 € 10+ 156,00 €

    Ierobežots vienums
    Piev.
    Min: 1 Mult: 1
    N Channel 200A 1.7V 700W 1.2kV Module - 125°C EconoPACK 3 Series
    BSM10GD120DN2
    BSM10GD120DN2 - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 15 A, 3.2 V, 80 W, 1.2 kV, EconoPACK

    1496947

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 15 A, 3.2 V, 80 W, 1.2 kV, EconoPACK

    INFINEON

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 15A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 3.2V

    + Skatīt visu produktu informāciju

    INFINEON 

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 15 A, 3.2 V, 80 W, 1.2 kV, EconoPACK

    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    11 noliktavā piegādei nākamajā dienā (Liege noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    19 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

  • 20 vairāk būs pieejami 20.17.8
  • Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 20.26.10

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 15A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 3.2V
    Power Dissipation Pd 80W
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style EconoPACK
    No. of Pins 17Pins
    Operating Temperature Max 125°C
    Product Range -

    34 Noliktavā

    1+ 56,18 € Cena par 5+ 54,93 € Cena par 10+ 51,09 € Cena par 50+ 45,97 € Cena par

    Daudz.
    Avnet krājumu skatīšanai

    Vienība

    1+ 56,18 € 5+ 54,93 € 10+ 51,09 € 50+ 45,97 €

    Ierobežots vienums
    Piev.
    Min: 1 Mult: 1
    N Channel 15A 3.2V 80W 1.2kV EconoPACK 17Pins 125°C -
    FZ400R12KE4HOSA1
    FZ400R12KE4HOSA1 - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 400 A, 1.75 V, 2.4 kW, 1.2 kV, Module

    2709953

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 400 A, 1.75 V, 2.4 kW, 1.2 kV, Module

    INFINEON

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 400A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.75V

    + Skatīt visu produktu informāciju

    INFINEON 

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 400 A, 1.75 V, 2.4 kW, 1.2 kV, Module

    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    45 noliktavā piegādei nākamajā dienā (Liege noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    37 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

  • 100 vairāk būs pieejami 20.26.9
  • 10 vairāk būs pieejami 20.17.10
  • Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 20.7.12

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 400A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.75V
    Power Dissipation Pd 2.4kW
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins -
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range 62mm C-Series

    82 Noliktavā

    1+ 95,26 € Cena par 5+ 91,57 € Cena par 10+ 87,88 € Cena par 50+ 78,66 € Cena par

    Daudz.

    Vienība

    1+ 95,26 € 5+ 91,57 € 10+ 87,88 € 50+ 78,66 €

    Ierobežots vienums
    Piev.
    Min: 1 Mult: 1
    N Channel 400A 1.75V 2.4kW 1.2kV Module - 150°C 62mm C-Series
    SKM50GB12T4
    SKM50GB12T4 - IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 81 A, 1.85 V, 1.2 kV, SEMITRANS 2

    2301737

    IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 81 A, 1.85 V, 1.2 kV, SEMITRANS 2

    SEMIKRON

    Transistor Polarity Dual NPN
    DC Collector Current 81A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.85V

    + Skatīt visu produktu informāciju

    SEMIKRON 

    IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 81 A, 1.85 V, 1.2 kV, SEMITRANS 2

    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    3 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 20.19.10

    Transistor Polarity Dual NPN
    DC Collector Current 81A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.85V
    Power Dissipation Pd -
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style SEMITRANS 2
    No. of Pins 7Pins
    Operating Temperature Max 175°C
    Product Range -

    3 Noliktavā

    1+ 67,21 € Cena par 5+ 66,69 € Cena par 10+ 66,18 € Cena par 50+ 65,67 € Cena par

    Daudz.

    Vienība

    1+ 67,21 € 5+ 66,69 € 10+ 66,18 € 50+ 65,67 €

    Ierobežots vienums
    Piev.
    Min: 1 Mult: 1
    Dual NPN 81A 1.85V - 1.2kV SEMITRANS 2 7Pins 175°C -
    SKM400GB12V
    SKM400GB12V - IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 612 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

    2423702

    IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 612 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

    SEMIKRON

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 612A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.75V

    + Skatīt visu produktu informāciju

    SEMIKRON 

    IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 612 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    1 noliktavā piegādei nākamajā dienā (Liege noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

  • 12 vairāk būs pieejami 20.2.8
  • Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 20.5.10

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 612A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.75V
    Power Dissipation Pd -
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins 7Pins
    Operating Temperature Max 175°C
    Product Range -

    1 Noliktavā

    1+ 285,00 € Cena par 5+ 247,00 € Cena par

    Daudz.

    Vienība

    1+ 285,00 € 5+ 247,00 €

    Ierobežots vienums
    Piev.
    Min: 1 Mult: 1
    Dual N Channel 612A 1.75V - 1.2kV Module 7Pins 175°C -
    SKM200GB12V
    SKM200GB12V - IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 311 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

    2423695

    IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 311 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

    SEMIKRON

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 311A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.75V

    + Skatīt visu produktu informāciju

    SEMIKRON 

    IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 311 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    5 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

  • 12 vairāk būs pieejami 20.31.7
  • Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 20.5.10

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 311A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.75V
    Power Dissipation Pd -
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins 7Pins
    Operating Temperature Max 175°C
    Product Range -

    5 Noliktavā

    1+ 204,00 € Cena par 5+ 175,00 € Cena par 10+ 168,00 € Cena par

    Daudz.

    Vienība

    1+ 204,00 € 5+ 175,00 € 10+ 168,00 €

    Ierobežots vienums
    Piev.
    Min: 1 Mult: 1
    Dual N Channel 311A 1.75V - 1.2kV Module 7Pins 175°C -
    SKM200GB125D
    SKM200GB125D - IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 200 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

    2423692

    IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 200 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

    SEMIKRON

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 200A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 3.3V

    + Skatīt visu produktu informāciju

    SEMIKRON 

    IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 200 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    22 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 20.12.10

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 200A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 3.3V
    Power Dissipation Pd -
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins 7Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range -

    34 Noliktavā

    1+ 179,00 € Cena par 5+ 173,00 € Cena par 10+ 164,00 € Cena par

    Daudz.

    Vienība

    1+ 179,00 € 5+ 173,00 € 10+ 164,00 €

    Ierobežots vienums
    Piev.
    Min: 1 Mult: 1
    Dual N Channel 200A 3.3V - 1.2kV Module 7Pins 150°C -
    BSM50GD120DN2BOSA1
    BSM50GD120DN2BOSA1 - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 72 A, 3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPACK

    1496949

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 72 A, 3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPACK

    INFINEON

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 72A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 3V

    + Skatīt visu produktu informāciju

    INFINEON 

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 72 A, 3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPACK

    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    35 noliktavā piegādei nākamajā dienā (Liege noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    56 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 20.9.11

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 72A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 3V
    Power Dissipation Pd 350W
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style EconoPACK
    No. of Pins 17Pins
    Operating Temperature Max 125°C
    Product Range -

    197 Noliktavā

    1+ 132,00 € Cena par 5+ 130,00 € Cena par 10+ 114,00 € Cena par

    Daudz.

    Vienība

    1+ 132,00 € 5+ 130,00 € 10+ 114,00 €

    Ierobežots vienums
    Piev.
    Min: 1 Mult: 1
    N Channel 72A 3V 350W 1.2kV EconoPACK 17Pins 125°C -
    SKM100GB12T4
    SKM100GB12T4 - IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 160 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module

    2423682

    IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 160 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module

    SEMIKRON

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 160A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.8V

    + Skatīt visu produktu informāciju

    SEMIKRON 

    IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 160 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module

    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    24 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 20.5.10

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 160A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.8V
    Power Dissipation Pd -
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins 7Pins
    Operating Temperature Max 175°C
    Product Range -

    32 Noliktavā

    1+ 93,66 € Cena par 5+ 85,94 € Cena par 10+ 71,17 € Cena par 50+ 69,74 € Cena par

    Daudz.

    Vienība

    1+ 93,66 € 5+ 85,94 € 10+ 71,17 € 50+ 69,74 €

    Ierobežots vienums
    Piev.
    Min: 1 Mult: 1
    Dual N Channel 160A 1.8V - 1.2kV Module 7Pins 175°C -
    SKM400GB12T4
    SKM400GB12T4 - IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 616 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module

    2423701

    IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 616 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module

    SEMIKRON

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 616A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.8V

    + Skatīt visu produktu informāciju

    SEMIKRON 

    IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 616 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module

    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    6 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 20.5.10

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 616A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.8V
    Power Dissipation Pd -
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins 7Pins
    Operating Temperature Max 175°C
    Product Range -

    6 Noliktavā

    1+ 246,00 € Cena par 5+ 228,00 € Cena par

    Daudz.

    Vienība

    1+ 246,00 € 5+ 228,00 €

    Ierobežots vienums
    Piev.
    Min: 1 Mult: 1
    Dual N Channel 616A 1.8V - 1.2kV Module 7Pins 175°C -
    FP25R12W2T4
    FP25R12W2T4 - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 25 A, 1.85 V, 175 W, 1.2 kV, Module

    1833566

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 25 A, 1.85 V, 175 W, 1.2 kV, Module

    INFINEON

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 25A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.85V

    + Skatīt visu produktu informāciju

    INFINEON 

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 25 A, 1.85 V, 175 W, 1.2 kV, Module

    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    2 noliktavā piegādei nākamajā dienā (Liege noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    15 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 20.12.10

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 25A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.85V
    Power Dissipation Pd 175W
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins 23Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range -

    18 Noliktavā

    1+ 45,83 € Cena par 5+ 44,82 € Cena par 10+ 40,97 € Cena par 50+ 38,92 € Cena par

    Daudz.

    Vienība

    1+ 45,83 € 5+ 44,82 € 10+ 40,97 € 50+ 38,92 €

    Ierobežots vienums
    Piev.
    Min: 1 Mult: 1
    N Channel 25A 1.85V 175W 1.2kV Module 23Pins 150°C -
    SKM195GB066D
    SKM195GB066D - IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 265 A, 1.45 V, 600 V, Module

    2423691

    IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 265 A, 1.45 V, 600 V, Module

    SEMIKRON

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 265A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.45V

    + Skatīt visu produktu informāciju

    SEMIKRON 

    IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 265 A, 1.45 V, 600 V, Module

    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    1 noliktavā piegādei nākamajā dienā (Liege noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

  • 8 vairāk būs pieejami 20.29.7
  • Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 20.5.10

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 265A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.45V
    Power Dissipation Pd -
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 600V
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins 7Pins
    Operating Temperature Max 175°C
    Product Range -

    1 Noliktavā

    1+ 101,00 € Cena par 5+ 98,69 € Cena par 10+ 96,34 € Cena par 50+ 70,99 € Cena par

    Daudz.

    Vienība

    1+ 101,00 € 5+ 98,69 € 10+ 96,34 € 50+ 70,99 €

    Ierobežots vienums
    Piev.
    Min: 1 Mult: 1
    Dual N Channel 265A 1.45V - 600V Module 7Pins 175°C -
    BSM25GD120DN2
    BSM25GD120DN2 - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 35 A, 3 V, 200 W, 1.2 kV, EconoPACK

    1496948

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 35 A, 3 V, 200 W, 1.2 kV, EconoPACK

    INFINEON

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 35A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 3V

    + Skatīt visu produktu informāciju

    INFINEON 

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 35 A, 3 V, 200 W, 1.2 kV, EconoPACK

    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    68 noliktavā piegādei nākamajā dienā (Liege noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    1 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

  • 30 vairāk būs pieejami 20.27.7
  • 10 vairāk būs pieejami 20.3.8
  • 20 vairāk būs pieejami 20.15.7
  • Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 20.26.10

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 35A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 3V
    Power Dissipation Pd 200W
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style EconoPACK
    No. of Pins 17Pins
    Operating Temperature Max 125°C
    Product Range -

    129 Noliktavā

    1+ 90,82 € Cena par 5+ 87,49 € Cena par 10+ 83,11 € Cena par 50+ 75,85 € Cena par

    Daudz.

    Vienība

    1+ 90,82 € 5+ 87,49 € 10+ 83,11 € 50+ 75,85 €

    Ierobežots vienums
    Piev.
    Min: 1 Mult: 1
    N Channel 35A 3V 200W 1.2kV EconoPACK 17Pins 125°C -
    SKM100GB125DN
    SKM100GB125DN - IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 100 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

    2423681

    IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 100 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

    SEMIKRON

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 100A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 3.3V

    + Skatīt visu produktu informāciju

    SEMIKRON 

    IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 100 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    3 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

  • 8 vairāk būs pieejami 20.15.7
  • Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 20.2.11

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 100A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 3.3V
    Power Dissipation Pd -
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins 7Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range -

    3 Noliktavā

    1+ 204,00 € Cena par 5+ 165,00 € Cena par 10+ 150,00 € Cena par

    Daudz.

    Vienība

    1+ 204,00 € 5+ 165,00 € 10+ 150,00 €

    Ierobežots vienums
    Piev.
    Min: 1 Mult: 1
    Dual N Channel 100A 3.3V - 1.2kV Module 7Pins 150°C -
    IXGN200N60B3
    IXGN200N60B3 - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 300 A, 1.35 V, 830 W, 600 V, SOT-227B

    2784063

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 300 A, 1.35 V, 830 W, 600 V, SOT-227B

    IXYS SEMICONDUCTOR

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 300A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.35V

    + Skatīt visu produktu informāciju

    IXYS SEMICONDUCTOR 

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 300 A, 1.35 V, 830 W, 600 V, SOT-227B

    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    8 noliktavā piegādei nākamajā dienā (Liege noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

  • 5 vairāk būs pieejami 20.15.7
  • Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 21.18.1

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 300A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.35V
    Power Dissipation Pd 830W
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 600V
    Transistor Case Style SOT-227B
    No. of Pins 4Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range IGBT Module GenX3 Series

    8 Noliktavā

    1+ 31,99 € Cena par 5+ 28,58 € Cena par 10+ 26,76 € Cena par 50+ 25,19 € Cena par 100+ 23,63 € Cena par

    Daudz.

    Vienība

    1+ 31,99 € 5+ 28,58 € 10+ 26,76 € 50+ 25,19 € 100+ 23,63 €

    Ierobežots vienums
    Piev.
    Min: 1 Mult: 1
    N Channel 300A 1.35V 830W 600V SOT-227B 4Pins 150°C IGBT Module GenX3 Series
    SKM150GB12V
    SKM150GB12V - IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 231 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

    2423689

    IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 231 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

    SEMIKRON

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 231A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.75V

    + Skatīt visu produktu informāciju

    SEMIKRON 

    IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 231 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    6 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 20.5.10

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 231A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.75V
    Power Dissipation Pd -
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins 7Pins
    Operating Temperature Max 175°C
    Product Range -

    6 Noliktavā

    1+ 133,00 € Cena par 5+ 120,00 € Cena par 10+ 115,00 € Cena par

    Daudz.

    Vienība

    1+ 133,00 € 5+ 120,00 € 10+ 115,00 €

    Ierobežots vienums
    Piev.
    Min: 1 Mult: 1
    Dual N Channel 231A 1.75V - 1.2kV Module 7Pins 175°C -
    FSBB15CH60C
    FSBB15CH60C - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 15 A, 2 V, 55 W, 600 V, SPM27-CC

    1700678

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 15 A, 2 V, 55 W, 600 V, SPM27-CC

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 15A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 2V

    + Skatīt visu produktu informāciju

    ON SEMICONDUCTOR 

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 15 A, 2 V, 55 W, 600 V, SPM27-CC

    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    82 noliktavā piegādei nākamajā dienā (Liege noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    1 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

    Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 20.28.9

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 15A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 2V
    Power Dissipation Pd 55W
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 600V
    Transistor Case Style SPM27-CC
    No. of Pins 27Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range Motion SPM 3 Series

    83 Noliktavā

    1+ 18,49 € Cena par 5+ 16,52 € Cena par 10+ 15,47 € Cena par 50+ 14,43 € Cena par 100+ 13,39 € Cena par 250+ 12,97 € Cena par Citas cenas...

    Daudz.
    Avnet krājumu skatīšanai

    Vienība

    1+ 18,49 € 5+ 16,52 € 10+ 15,47 € 50+ 14,43 € 100+ 13,39 € 250+ 12,97 € Citas cenas...

    Ierobežots vienums
    Piev.
    Min: 1 Mult: 1
    N Channel 15A 2V 55W 600V SPM27-CC 27Pins 150°C Motion SPM 3 Series
    FNB41060
    FNB41060 - IGBT Array & Module Transistor, NPN, 10 A, 1.5 V, 32 W, 600 V, SPM26-AAA

    1971833

    IGBT Array & Module Transistor, NPN, 10 A, 1.5 V, 32 W, 600 V, SPM26-AAA

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor Polarity NPN
    DC Collector Current 10A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.5V

    + Skatīt visu produktu informāciju

    ON SEMICONDUCTOR 

    IGBT Array & Module Transistor, NPN, 10 A, 1.5 V, 32 W, 600 V, SPM26-AAA

    + Skatīt noliktavas un pasūtījumu izpildes laikus

    184 noliktavā piegādei nākamajā dienā (UK noliktava): 00 pēcpusd. (pārtītiem produktiem plkst. 18:30) pirmd. — piektd. (izņemot valsts svētku dienas)

  • 72 vairāk būs pieejami 20.25.9
  • Vairāk preču pieejams nedēļā, kas sākas ar 20.28.9

    Transistor Polarity NPN
    DC Collector Current 10A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.5V
    Power Dissipation Pd 32W
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 600V
    Transistor Case Style SPM26-AAA
    No. of Pins 26Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range Motion SPM 45 Series

    184 Noliktavā

    1+ 12,38 € Cena par 5+ 11,76 € Cena par 10+ 10,36 € Cena par 50+ 9,67 € Cena par 100+ 8,97 € Cena par 250+ 8,68 € Cena par Citas cenas...

    Daudz.
    Avnet krājumu skatīšanai

    Vienība

    1+ 12,38 € 5+ 11,76 € 10+ 10,36 € 50+ 9,67 € 100+ 8,97 € 250+ 8,68 € Citas cenas...

    Ierobežots vienums
    Piev.
    Min: 1 Mult: 1
    NPN 10A 1.5V 32W 600V SPM26-AAA 26Pins 150°C Motion SPM 45 Series