Drukāt lapu
IMLT65R020M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 107 A, 650 V, 0.018 ohm, HDSOP
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
279 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 10+ | 10,730 € |
| 50+ | 10,190 € |
| 100+ | 9,650 € |
| 250+ | 9,460 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 10
Vairāki: 1
112,30 € (bez PVN)
5,00 € pārtīšanas maksa tiks pievienota šī produkta cenai
rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IMLT65R020M2HXTMA1
Pasūtījuma kods4445614RL
Tehnisko datu lapa
Continuous Drain Current Id107A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.018ohm
No. of Pins16Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation454W
Operating Temperature Max175°C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehniskie parametri
Continuous Drain Current Id
107A
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
454W
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
No. of Pins
16Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.0007
Produkta izsekojamība