Drukāt lapu
IPP052NE7N3GXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 80 A, 5200 µohm, TO-220, Through Hole
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IPP052NE7N3GXKSA1
Pasūtījuma kods2480849
Produktu klāstsOptiMOS 3 Series
Zināms arī kāIPP052NE7N3 G, SP000641726
Tehnisko datu lapa
8 166 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
Pieejams, kamēr ir noliktavā
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 3,420 € |
| 10+ | 2,240 € |
| 100+ | 1,680 € |
| 500+ | 1,310 € |
| 1000+ | 1,150 € |
| 5000+ | 1,080 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
3,42 € (bez PVN)
rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IPP052NE7N3GXKSA1
Pasūtījuma kods2480849
Produktu klāstsOptiMOS 3 Series
Zināms arī kāIPP052NE7N3 G, SP000641726
Tehnisko datu lapa
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance5200µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 3 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
IPP052NE7N3GXKSA1 alternatīvas
Atrasti 4 produkti
Produktu pārskats
- Opti MOS™3 power transistor
- Optimized technology for synchronous rectification
- Ideal for high frequency switching and DC/DC converter
- Excellent gate charge x RDC(on) product (FOM)
- Very low on resistance RDS(on), N channel, normal level
- 100% avalanche tested, qualified according to JEDEC for target application
- 75V minimum drain source breakdown voltage (VGS=0V, 1D=1mA, 25°C)
- 5.2mohm maximum drain source on state resistance (VGSS=10V, 1D=80A, 25°C)
- 2.2ohm gate resistance
- PG-TO220-3 package, operating temperature range from -55 to 175°C
Tehniskie parametri
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
5200µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 3 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.002008
Produkta izsekojamība