Drukāt lapu
NTBG080N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsONSEMI
Ražotāja detaļas Nr.NTBG080N120SC1
Pasūtījuma kods3528496RL
Produktu klāstsEliteSiC Series
Tehnisko datu lapa
1 330 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 10+ | 7,050 € |
| 50+ | 6,700 € |
| 100+ | 6,690 € |
| 250+ | 6,560 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 10
Vairāki: 1
75,50 € (bez PVN)
5,00 € pārtīšanas maksa tiks pievienota šī produkta cenai
rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsONSEMI
Ražotāja detaļas Nr.NTBG080N120SC1
Pasūtījuma kods3528496RL
Produktu klāstsEliteSiC Series
Tehnisko datu lapa
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
On Resistance Rds(on)0.08ohm
Transistor Case StyleTO-263HV (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd179W
Power Dissipation179W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktu pārskats
Brīdinājumi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehniskie parametri
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.08ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
179W
Product Range
EliteSiC Series
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Transistor Case Style
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation Pd
179W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehniskā dokumentācija (2)
Saistītie produkti
Atrasti 2 produkti
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Y-Ex
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.0034
Produkta izsekojamība