Drukāt lapu
NVBG022N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsONSEMI
Ražotāja detaļas Nr.NVBG022N120M3S
Pasūtījuma kods4036823
Produktu klāstsEliteSiC Series
Tehnisko datu lapa
612 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 20,930 € |
| 5+ | 19,260 € |
| 10+ | 15,120 € |
| 50+ | 14,840 € |
| 100+ | 14,550 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 1
Vairāki: 1
20,93 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsONSEMI
Ražotāja detaļas Nr.NVBG022N120M3S
Pasūtījuma kods4036823
Produktu klāstsEliteSiC Series
Tehnisko datu lapa
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id58A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleTO-263HV (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.72V
Power Dissipation234W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tehniskie parametri
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
58A
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.72V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
234W
Product Range
EliteSiC Series
Tehniskā dokumentācija (1)
Saistītie produkti
Atrasts 1 produkts
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.0007
Produkta izsekojamība