Drukāt lapu
STW11NK100Z
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 8.3 A, 1.38 ohm, TO-247, Through Hole
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsSTMICROELECTRONICS
Ražotāja detaļas Nr.STW11NK100Z
Pasūtījuma kods1468004
Produktu klāstsSTW
Tehnisko datu lapa
32 964 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 4,000 € |
| 10+ | 3,950 € |
| 100+ | 3,080 € |
| 500+ | 2,730 € |
| 1000+ | 2,720 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
4,00 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsSTMICROELECTRONICS
Ražotāja detaļas Nr.STW11NK100Z
Pasūtījuma kods1468004
Produktu klāstsSTW
Tehnisko datu lapa
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id8.3A
Drain Source On State Resistance1.38ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation230W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSTW
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produktu pārskats
The STW11NK100Z is a 1000V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Extremely high dv/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitance
- Very good manufacturing repeatability
Lietošanas veidi
Industrial
Tehniskie parametri
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.3A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
230W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
1.38ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STW
MSL
-
Tehniskā dokumentācija (2)
STW11NK100Z alternatīvas
Atrasts 1 produkts
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Nē
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Nē
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.010433