Drukāt lapu
SCTL90N65G2V
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsSTMICROELECTRONICS
Ražotāja detaļas Nr.SCTL90N65G2V
Pasūtījuma kods3748721RL
Tehnisko datu lapa
1 854 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 10+ | 22,640 € |
| 50+ | 22,580 € |
| 100+ | 19,990 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 10
Vairāki: 1
231,40 € (bez PVN)
5,00 € pārtīšanas maksa tiks pievienota šī produkta cenai
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsSTMICROELECTRONICS
Ražotāja detaļas Nr.SCTL90N65G2V
Pasūtījuma kods3748721RL
Tehnisko datu lapa
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source Voltage Vds650V
On Resistance Rds(on)0.018ohm
Drain Source On State Resistance0.018ohm
Transistor Case StylePowerFLAT
No. of Pins5Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.2V
Power Dissipation935W
Power Dissipation Pd935W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
SCTL90N65G2V is a silicon carbide power MOSFET. This silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature. Typical applications are switching mode power supply, DC-DC converters, and industrial motor control.
- Very fast and robust intrinsic body diode, low capacitances
- Source sensing pin for increased efficiency
- Drain-source breakdown voltage is 650V minimum at VGS = 0V, ID = 1mA
- Static drain-source on-resistance is 24mohm max at VGS = 18V, ID = 40A
- Drain current (continuous) at TC = 25°C is 40A
- Input capacitance is 3380pF typical at VDS = 400V, f = 1MHz, VGS = 0V
- Rise time is 38ns typ at VDD = 400V, ID = 50A, RG = 2.2ohm, VGS = -5V to 18V
- PowerFLAT 8x8 HV package
- Operating junction temperature range from -55 to 175°C
Tehniskie parametri
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
No. of Pins
5Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.2V
Power Dissipation Pd
935W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
On Resistance Rds(on)
0.018ohm
Transistor Case Style
PowerFLAT
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
935W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.00018
Produkta izsekojamība