Drukāt lapu
SISS52DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 162 A, 0.00095 ohm, PowerPAK 1212-8S, Surface Mount
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsVISHAY
Ražotāja detaļas Nr.SISS52DN-T1-GE3
Pasūtījuma kods3586074
Produktu klāstsTrenchFET Gen V
Tehnisko datu lapa
6 836 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 1,360 € |
| 10+ | 0,904 € |
| 100+ | 0,630 € |
| 500+ | 0,505 € |
| 1000+ | 0,460 € |
| 5000+ | 0,404 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 1
Vairāki: 1
1,36 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsVISHAY
Ražotāja detaļas Nr.SISS52DN-T1-GE3
Pasūtījuma kods3586074
Produktu klāstsTrenchFET Gen V
Tehnisko datu lapa
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id162A
Drain Source On State Resistance0.00095ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation57W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Tehniskie parametri
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
162A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
57W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.00095ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehniskā dokumentācija (2)
SISS52DN-T1-GE3 alternatīvas
Atrasts 1 produkts
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000001
Produkta izsekojamība