Drukāt lapu
AS6C1008-55PCN
SRAM, 1MBIT, 0 TO 70DEG C, DIP
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
193 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 4,500 € |
| 10+ | 4,170 € |
| 25+ | 4,070 € |
| 50+ | 3,970 € |
| 100+ | 3,920 € |
| 250+ | 3,870 € |
| 500+ | 3,760 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
4,50 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsALLIANCE MEMORY
Ražotāja detaļas Nr.AS6C1008-55PCN
Pasūtījuma kods4260912
Tehnisko datu lapa
SRAM TypeAsynchronous
Memory Density1Mbit
Memory Configuration128K x 8bit
IC Case / PackageDIP
No. of Pins32Pins
Supply Voltage Min2.7V
Supply Voltage Max5.5V
Supply Voltage Nom3V
Clock Frequency Max-
IC MountingThrough Hole
Operating Temperature Min0°C
Operating Temperature Max70°C
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktu pārskats
AS6C1008-55PCN is a 1,048,57 6-bit low power CMOS static random access memory organized as 131,072 words by 8bits. It is fabricated using very high performance, high reliability CMOS technology. Its standby current is stable within the range of operating temperature. It is well designed for very low power system applications, and particularly well suited for battery back-up non-volatile memory application.
- Access time is 55ns
- Low power consumption, 10mA typ operating current, 1µA typ standby current
- Single 2.7V to 5.5V power supply
- Fully compatible with all competitors 5V and 3.3V product
- Fully static operation, tri-state output
- Data retention voltage is 1.5V minimum
- 128K x 8 organization
- 32 pin 600mil PDIP package
- Commercial operating temperature range from 0°C to 70°C
- Operating temperature range from 0°C to 70°C
Lietošanas veidi
Embedded Design & Development
Tehniskie parametri
SRAM Type
Asynchronous
Memory Configuration
128K x 8bit
No. of Pins
32Pins
Supply Voltage Max
5.5V
Clock Frequency Max
-
Operating Temperature Min
0°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Memory Density
1Mbit
IC Case / Package
DIP
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Nom
3V
IC Mounting
Through Hole
Operating Temperature Max
70°C
MSL
-
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Taiwan
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Taiwan
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.0088