Drukāt lapu
HMC349AMS8GE
RF Switch, Non-Reflective, SPDT, 100 MHz to 4 GHz, 3 V to 5 V Supply, -40 to 125 °C, MSOP-EP-8
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
86 Noliktavā
151 Tagad varat rezervēt krājumus
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 7,420 € |
| 10+ | 6,430 € |
| 25+ | 6,090 € |
| 100+ | 5,620 € |
| 250+ | 5,340 € |
| 500+ | 5,140 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
7,42 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsANALOG DEVICES
Ražotāja detaļas Nr.HMC349AMS8GE
Pasūtījuma kods4030572
Tehnisko datu lapa
Frequency Min100MHz
Frequency Max4GHz
RF IC Case StyleMSOP-EP
No. of Pins8Pins
Supply Voltage Min3V
Supply Voltage Max5V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max125°C
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
HMC349AMS8G is a gallium arsenide (GaAs), pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT), single-pole, double throw (SPDT) switch specified from 100MHz to 4GHz. The HMC349AMS8G operates with a single positive supply voltage from 3V to 5V and provides a CMOS-/TTL-compatible control interface. Application includes cellular/4G infrastructure, wireless infrastructure, mobile radios, test equipment.
- Nonreflective, 50 ohm design
- High isolation is 57dB to 2GHz, low insertion loss is 0.9dB to 2GHz
- High input linearity, high power handling
- 1dB power compression is 28dBm (typ, VDD = 3V, TCASE = 25°C)
- Third-order intercept is 54dBm (typ, VDD = 3V, TCASE = 25°C)
- 33.5dBm through path, 26.5dBm terminated path
- Single positive supply range from 3V to 5V
- CMOS-/TTL-compatible control, all off state control
- Frequency range from 0.1 to 4GHz (VDD = 3V to 5V, TCASE = 25°C)
- 8 lead MINI-SO-EP package, operating temperature range from -40°C to +125°C
Piezīmes
ADI products are only authorized (and sold) for use by the customer and are not to be resold or otherwise passed on to any third party
Tehniskie parametri
Frequency Min
100MHz
RF IC Case Style
MSOP-EP
Supply Voltage Min
3V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Frequency Max
4GHz
No. of Pins
8Pins
Supply Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
125°C
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Philippines
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Philippines
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.002903
Produkta izsekojamība