Drukāt lapu
IMCQ120R007M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 257 A, 1.2 kV, 7500 µohm, HDSOP
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IMCQ120R007M2HXTMA1
Pasūtījuma kods4733920
Produktu klāstsCoolSiC G2 Series
Tehnisko datu lapa
158 Noliktavā
750 Tagad varat rezervēt krājumus
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 32,300 € |
| 5+ | 29,320 € |
| 10+ | 26,340 € |
| 50+ | 25,810 € |
| 100+ | 25,290 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 1
Vairāki: 1
32,30 € (bez PVN)
rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IMCQ120R007M2HXTMA1
Pasūtījuma kods4733920
Produktu klāstsCoolSiC G2 Series
Tehnisko datu lapa
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id257A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance7500µohm
Transistor Case StyleHDSOP
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation1.172kW
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC G2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tehniskie parametri
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
257A
Drain Source On State Resistance
7500µohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
HDSOP
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
1.172kW
Product Range
CoolSiC G2 Series
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000001
Produkta izsekojamība