Drukāt lapu
GA100XCP12-227
Silicon Carbide IGBT Single Transistor, 100 A, 1200 V, 1.2 kV, SOT-227, 3 Pins
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
Vairs netiek ražots
Informācija par produktiem
RažotājsGENESIC
Ražotāja detaļas Nr.GA100XCP12-227
Pasūtījuma kods1862695
Tehnisko datu lapa
Continuous Collector Current100A
IGBT ConfigurationSingle
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Power Dissipation-
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleSOT-227
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins3Pins
IGBT TerminationScrew
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Tehniskie parametri
Continuous Collector Current
100A
Continuous Collector Current
100A
Power Dissipation
-
Transistor Case Style
SOT-227
No. of Pins
3Pins
IGBT Technology
-
Product Range
-
IGBT Configuration
Single
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Screw
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:United States
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:United States
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jāiesaka
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.029