Drukāt lapu
DMMT3904W
Bipolar Transistor Array, Dual, Dual NPN, 40 V, 200 mA, 200 mW
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
3 990 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 5+ | 0,294 € |
| 50+ | 0,197 € |
| 100+ | 0,144 € |
| 500+ | 0,129 € |
| 1500+ | 0,115 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 5
Vairāki: 5
1,47 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsDIODES INC.
Ražotāja detaļas Nr.DMMT3904W
Pasūtījuma kods2061407
Tehnisko datu lapa
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN40V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN200mA
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN200mW
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN100hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN300MHz
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktu pārskats
The DMMT3904W is a NPN matched pair small signal Transistor Array offers 2% matching on current gain (hFE) and 2mV matching on base-emitter voltage (VBE). The bipolar transistor array is suitable for current mirrors, differential and instrumentation amplifiers and comparators.
- UL94V-0 Flammability rating
- High collector current
- Fully internally isolated in a small surface-mount package
- Halogen-free, Green device
- -65 to 150°C Operating temperature range
Lietošanas veidi
Aerospace, Defence, Military, Automotive, Power Management, Sensing & Instrumentation, Industrial
Brīdinājumi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehniskie parametri
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max NPN
40V
Continuous Collector Current NPN
200mA
Power Dissipation NPN
200mW
DC Current Gain hFE Min NPN
100hFE
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
300MHz
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehniskā dokumentācija (1)
DMMT3904W alternatīvas
Atrasti 3 produkti
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000006
Produkta izsekojamība