Drukāt lapu
DMMT3906W-7-F
Bipolar Transistor Array, Dual, Dual PNP, 40 V, 200 mA
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
3 145 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 5+ | 0,476 € |
| 50+ | 0,305 € |
| 100+ | 0,196 € |
| 500+ | 0,145 € |
| 1500+ | 0,121 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 5
Vairāki: 5
2,38 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsDIODES INC.
Ražotāja detaļas Nr.DMMT3906W-7-F
Pasūtījuma kods1773643
Tehnisko datu lapa
Transistor PolarityDual PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Collector Emitter Voltage Max PNP40V
Continuous Collector Current NPN-
Continuous Collector Current PNP200mA
Power Dissipation NPN-
Power Dissipation PNP200mW
DC Current Gain hFE Min NPN-
DC Current Gain hFE Min PNP100hFE
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP250MHz
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Produktu pārskats
The DMMT3906W-7-F is a PNP matched pair small signal Transistor Array offers 2% matching on current gain (hFE) and 2mV matching on base-emitter voltage (VBE). The bipolar transistor array is suitable for current mirrors, differential and instrumentation amplifiers and comparators.
- UL94V-0 Flammability rating
- High collector current
- Fully internally isolated in a small surface-mount package
- Halogen-free, Green device
- -65 to 150°C Operating temperature range
Lietošanas veidi
Aerospace, Defence, Military, Automotive, Power Management, Sensing & Instrumentation, Industrial
Brīdinājumi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehniskie parametri
Transistor Polarity
Dual PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
40V
Continuous Collector Current PNP
200mA
Power Dissipation PNP
200mW
DC Current Gain hFE Min PNP
100hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
250MHz
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
Continuous Collector Current NPN
-
Power Dissipation NPN
-
DC Current Gain hFE Min NPN
-
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehniskā dokumentācija (3)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000008
Produkta izsekojamība