Drukāt lapu
DMP2035U-7
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Surface Mount
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
7 795 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 100+ | 0,165 € |
| 500+ | 0,131 € |
| 1500+ | 0,116 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 100
Vairāki: 5
21,50 € (bez PVN)
5,00 € pārtīšanas maksa tiks pievienota šī produkta cenai
rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsDIODES INC.
Ražotāja detaļas Nr.DMP2035U-7
Pasūtījuma kods3127358RL
Tehnisko datu lapa
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.6A
On Resistance Rds(on)0.023ohm
Drain Source On State Resistance0.035ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation Pd810mW
Power Dissipation810mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktu pārskats
DMP2035U-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET.
- Low on-resistance, low input capacitance, fast switching speed
- Low input/output leakage, ESD protected
- Drain-source voltage is -20V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±10V at TA = +25°C
- Continuous drain current is -4.9A at TA = +25°C, VGS = -4.5V, steady state
- Pulsed drain current is -24A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.81W at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 35mohm max at VGS = -4.5V, ID = -4.0A, TA = +25°C
- SOT23 (standard) package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Tehniskie parametri
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.023ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
810mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.6A
Drain Source On State Resistance
0.035ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
Power Dissipation
810mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
-
Tehniskā dokumentācija (2)
DMP2035U-7 alternatīvas
Atrasts 1 produkts
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.00185
Produkta izsekojamība