Drukāt lapu
DMP6023LFG-7
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Surface Mount
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
2 001 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 5+ | 0,441 € |
| 50+ | 0,439 € |
| 100+ | 0,429 € |
| 500+ | 0,419 € |
| 1000+ | 0,380 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 5
Vairāki: 5
2,20 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsDIODES INC.
Ražotāja detaļas Nr.DMP6023LFG-7
Pasūtījuma kods3127373
Tehnisko datu lapa
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id7.7A
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StylePowerDI 3333
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation2.1W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktu pārskats
DMP6023LFG-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include backlighting, power management functions, DC-DC converters.
- Low RDS(ON) – ensures on state losses are minimized
- Small form factor thermally efficient package enables higher density end products
- Drain-source voltage is -60V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Continuous drain current is -7.7A at TA = +25°C, VGS = -10V, steady state
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is -55A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 1W at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 25mohm max at VGS = -10V, ID = -5A, TA = +25°C
- POWERDI3333-8 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Brīdinājumi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehniskie parametri
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
7.7A
Transistor Case Style
PowerDI 3333
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.00185
Produkta izsekojamība