Drukāt lapu
MMDT5451-7-F
Bipolar Transistor Array, Dual, Complementary NPN and PNP, 160 V, 160 V, 200 mA, 200 mA, 200 mW
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
3 044 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 500+ | 0,0915 € |
| 1000+ | 0,0781 € |
| 5000+ | 0,0667 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 500
Vairāki: 5
50,75 € (bez PVN)
5,00 € pārtīšanas maksa tiks pievienota šī produkta cenai
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsDIODES INC.
Ražotāja detaļas Nr.MMDT5451-7-F
Pasūtījuma kods1773648RL
Tehnisko datu lapa
Transistor PolarityComplementary NPN and PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN160V
Collector Emitter Voltage Max PNP160V
Continuous Collector Current NPN200mA
Continuous Collector Current PNP200mA
Power Dissipation NPN200mW
Power Dissipation PNP200mW
DC Current Gain hFE Min NPN80hFE
DC Current Gain hFE Min PNP80hFE
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN300MHz
Transition Frequency PNP300MHz
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Produktu pārskats
The MMDT5451-7-F is a NPN-PNP complementary small signal Bipolar Transistor Array ideal for medium power amplification and switching applications.
- UL94V-0 Flammability rating
- Epitaxial planar die construction
- Ultra-small surface-mount package
- Green device
- -55 to 150°C Operating temperature range
- Complementary pair (5551 - NPN and 5401 - PNP)
Lietošanas veidi
Aerospace, Defence, Military, Power Management, Industrial
Brīdinājumi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehniskie parametri
Transistor Polarity
Complementary NPN and PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
160V
Continuous Collector Current PNP
200mA
Power Dissipation PNP
200mW
DC Current Gain hFE Min PNP
80hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
300MHz
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Collector Emitter Voltage Max NPN
160V
Continuous Collector Current NPN
200mA
Power Dissipation NPN
200mW
DC Current Gain hFE Min NPN
80hFE
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
300MHz
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000006
Produkta izsekojamība