Drukāt lapu
MMDT5551-7-F
Bipolar Transistor Array, Dual, Dual NPN, 160 V, 200 mA, 200 mW
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
104 284 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 500+ | 0,0886 € |
| 1000+ | 0,0815 € |
| 5000+ | 0,0552 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 500
Vairāki: 5
49,30 € (bez PVN)
5,00 € pārtīšanas maksa tiks pievienota šī produkta cenai
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsDIODES INC.
Ražotāja detaļas Nr.MMDT5551-7-F
Pasūtījuma kods1773597RL
Tehnisko datu lapa
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN160V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN200mA
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN200mW
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN80hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN300MHz
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktu pārskats
The MMDT5551-7-F is a dual NPN small signal surface-mount Bipolar Transistor Array offers 200mA continuous collector current and 180V collector-base voltage. It is ideal for medium power amplification and switching applications.
- UL94V-0 Flammability rating
- Epitaxial planar die construction
- Ultra-small surface-mount package
- Green device
- PNP complementary MMDT5401
- -55 to 150°C Operating temperature range
Lietošanas veidi
Aerospace, Defence, Military, Power Management, Industrial
Brīdinājumi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehniskie parametri
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max NPN
160V
Continuous Collector Current NPN
200mA
Power Dissipation NPN
200mW
DC Current Gain hFE Min NPN
80hFE
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
300MHz
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehniskā dokumentācija (3)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000064
Produkta izsekojamība