Drukāt lapu
M52S128168A-7.5BG
DRAM, Mobile SDR, 128 Mbit, 4 BLK (2M x 16), 133 MHz, FBGA, 54 Pins
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsELITE SEMICONDUCTOR
Ražotāja detaļas Nr.M52S128168A-7.5BG
Pasūtījuma kods1623170
Produktu klāstsM52S
Tehnisko datu lapa
Vairs nav pieejams noliktavā
Informācija par produktiem
RažotājsELITE SEMICONDUCTOR
Ražotāja detaļas Nr.M52S128168A-7.5BG
Pasūtījuma kods1623170
Produktu klāstsM52S
Tehnisko datu lapa
DRAM TypeMobile SDR
Memory Density128Mbit
Memory Configuration4 BLK (2M x 16)
Clock Frequency Max133MHz
IC Case / PackageFBGA
No. of Pins54Pins
Supply Voltage Nom2.5V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min0°C
Operating Temperature Max70°C
Product RangeM52S
Tehniskie parametri
DRAM Type
Mobile SDR
Memory Configuration
4 BLK (2M x 16)
IC Case / Package
FBGA
Supply Voltage Nom
2.5V
Operating Temperature Min
0°C
Product Range
M52S
Memory Density
128Mbit
Clock Frequency Max
133MHz
No. of Pins
54Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
70°C
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Taiwan
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Taiwan
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jāiesaka
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.00011