Drukāt lapu
1EDN8511BXUSA1
Gate Driver, 1 Channels, Non-Isolated, Low Side, GaN HEMT, IGBT, MOSFET, 6 Pins, SOT-23
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.1EDN8511BXUSA1
Pasūtījuma kods4384074
Zināms arī kā1EDN8511B, SP001891284
Tehnisko datu lapa
Pieejams pasūtījumiem
Ražotāja standarta izpildes laiks: 15 nedēļa(-s)
Paziņot, kad atkal ir krājumā
| Daudzums | |
|---|---|
| 3000+ | 0,245 € |
| 9000+ | 0,233 € |
Cena par:Each (Supplied on Full Reel)
Minimāli: 3000
Vairāki: 3000
735,00 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.1EDN8511BXUSA1
Pasūtījuma kods4384074
Zināms arī kā1EDN8511B, SP001891284
Tehnisko datu lapa
No. of Channels1Channels
Gate Driver TypeNon-Isolated
Driver ConfigurationLow Side
Power Switch TypeGaN HEMT, IGBT, MOSFET
No. of Pins6Pins
IC Case / PackageSOT-23
IC MountingSurface Mount
Input TypeInverting, Non-Inverting
Source Current4A
Sink Current8A
Supply Voltage Min4.5V
Supply Voltage Max20V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max150°C
Input Delay19ns
Output Delay19ns
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
1EDN8511BXUSA1 is an EiceDRIVER™ gate-driver IC. The pinout meets de facto industry standards. It is made to drive logic and normal-level MOSFETs like OptiMOS™ and CoolMOS™, and GaN HEMT devices. Applications include switch-mode power supplies (SMPS), power factor correction systems, DC-DC power converters, low-voltage drives and power tools, industrial power supply (SMPS, UPS), EV off-board chargers, solar micro-inverters, solar optimizers.
- VVDD supply voltage range from 4.5V to 20V
- VDD quiescent current is 0.4mA typical at (OUT = high, VVDD= 12V)
- 5A reverse current robustness, 4.2V and 8V UVLO options
- Input to output propagation delay is 19ns typical at (CLOAD= 1.8nF, VVDD= 12V)
- Rise time is 6.5ns typical at (CLOAD= 1.8nF, VVDD= 12V)
- Fall time is 4.5ns typical at (CLOAD= 1.8nF, VVDD= 12V)
- 8V/7V UVLO ON/OFF, separated source and sink output configuration
- High level (sourcing) output current is 4A typ, low level (sinking) output current is -8A typ
- Junction temperature range from -40°C to 150°C
- PG-SOT23-6 package
Tehniskie parametri
No. of Channels
1Channels
Driver Configuration
Low Side
No. of Pins
6Pins
IC Mounting
Surface Mount
Source Current
4A
Supply Voltage Min
4.5V
Operating Temperature Min
-40°C
Input Delay
19ns
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Gate Driver Type
Non-Isolated
Power Switch Type
GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC Case / Package
SOT-23
Input Type
Inverting, Non-Inverting
Sink Current
8A
Supply Voltage Max
20V
Operating Temperature Max
150°C
Output Delay
19ns
Qualification
-
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000061
Produkta izsekojamība