Drukāt lapu
BCV61CE6327HTSA1
Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.BCV61CE6327HTSA1
Pasūtījuma kods1056514
Zināms arī kāBCV 61C E6327, SP000010887
Tehnisko datu lapa
351 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 5+ | 0,379 € |
| 50+ | 0,238 € |
| 250+ | 0,156 € |
| 1000+ | 0,103 € |
| 5000+ | 0,0923 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 5
Vairāki: 5
1,90 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.BCV61CE6327HTSA1
Pasūtījuma kods1056514
Zināms arī kāBCV 61C E6327, SP000010887
Tehnisko datu lapa
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN30V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN100mA
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN300mW
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN100hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSOT-143
No. of Pins4Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN250MHz
Transition Frequency PNP-
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
The BCV 61C E6327 is a NPN silicon double Bipolar Transistor Array with good thermal coupling and VBE matching.
- To be used as a current mirror
- High current gain
- Low collector-emitter saturation voltage
Lietošanas veidi
Power Management, Industrial
Tehniskie parametri
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
4Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Voltage Max NPN
30V
Continuous Collector Current NPN
100mA
Power Dissipation NPN
300mW
DC Current Gain hFE Min NPN
100hFE
Transistor Case Style
SOT-143
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
250MHz
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehniskā dokumentācija (3)
BCV61CE6327HTSA1 alternatīvas
Atrasts 1 produkts
Saistītie produkti
Atrasti 2 produkti
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Germany
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Germany
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000009
Produkta izsekojamība