Drukāt lapu
BGA614H6327XTSA1
Amplifier, 17.5 dB, 0 GHz to 2.4 GHz, 3V, -65 °C to 150 °C, SOT-343-4
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
Pieejams pasūtījumiem
Ražotāja standarta izpildes laiks: 10 nedēļa(-s)
Paziņot, kad atkal ir krājumā
| Daudzums | |
|---|---|
| 3000+ | 0,831 € |
| 9000+ | 0,802 € |
Cena par:Each (Supplied on Full Reel)
Minimāli: 3000
Vairāki: 3000
2 493,00 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.BGA614H6327XTSA1
Pasūtījuma kods4318877
Tehnisko datu lapa
Frequency Min0GHz
Frequency Max2.4GHz
Gain17.5dB
Noise Figure Typ2.1dB
RF IC Case StyleSOT-343
No. of Pins4Pins
Supply Voltage Min-
Supply Voltage Max3V
Operating Temperature Min-65°C
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
BGA614H6327XTSA1 is a silicon germanium broadband MMIC amplifier. It is a broadband-matched, general-purpose MMIC amplifier in a Darlington configuration. It is optimized for a typical supply current of 40mA. It is based on Infineon Technologies’ B7HF silicon germanium technology. It is used in applications such as driver amplifiers for GSM/PCS/CDMA/UMTS, broadband amplifiers for SAT-TV & LNBs, and broadband amplifiers for CATV.
- Cascadable 50 ohm-gain block, 1kV HBM ESD protection (pin-to-pin)
- Insertion power gain is 19.8dB typical at (f = 0.1GHz)
- Noise figure (ZS = 50 ohm) is 1.8dB typical at (f = 0.1GHz)
- Output power at 1dB gain compression is 12dBm typical at (TA = 25°C)
- Output third order intercept point is 25dBm typical at (TA = 25°C)
- Input return loss is 18dB typical at (TA = 25°C)
- Output return loss is 20dB typical at (TA = 25°C)
- Total device current is 40mA typical at (TA = 25°C)
- 70GHz fT - silicon germanium technology, absolute stable
- Ambient temperature range from -65°C to 150°C, SOT343 package
Tehniskie parametri
Frequency Min
0GHz
Gain
17.5dB
RF IC Case Style
SOT-343
Supply Voltage Min
-
Operating Temperature Min
-65°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Frequency Max
2.4GHz
Noise Figure Typ
2.1dB
No. of Pins
4Pins
Supply Voltage Max
3V
Operating Temperature Max
150°C
Automotive Qualification Standard
-
Tehniskā dokumentācija (3)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85423390
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000454
Produkta izsekojamība