Drukāt lapu
BGA855N6E6327XTSA1
RF Amplifier, 1.164GHz to 1.3GHz, 17.8dB Gain, 0.6dB Noise, 1.1V to 3.3V, TSNP-6
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.BGA855N6E6327XTSA1
Pasūtījuma kods3021690RL
Zināms arī kāBGA 855N6 E6327, SP002337750
Tehnisko datu lapa
92 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 100+ | 0,297 € |
| 500+ | 0,269 € |
| 1000+ | 0,261 € |
| 2500+ | 0,256 € |
| 5000+ | 0,251 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 100
Vairāki: 1
34,70 € (bez PVN)
5,00 € pārtīšanas maksa tiks pievienota šī produkta cenai
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.BGA855N6E6327XTSA1
Pasūtījuma kods3021690RL
Zināms arī kāBGA 855N6 E6327, SP002337750
Tehnisko datu lapa
Frequency Min1.164GHz
Frequency Max1.3GHz
Gain17.8dB
Noise Figure Typ0.6dB
RF IC Case StyleTSNP
No. of Pins6Pins
Supply Voltage Min1.1V
Supply Voltage Max3.3V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Produktu pārskats
BGA855N6E6327XTSA1 is a low-noise amplifier for lower L-band GNSS applications. It is designed to enhance GNSS signal sensitivity for band L2/L5, especially for very high accuracy. Besides GPS L5 and L2, the GNSS LNA also covers Galileo E5a, E5b, E6, Glonass G3, G2 and Beidou B3 and B2 bands. The high linearity performance of BGA855N6 ensures the best sensitivity for the operation in 4G and 5G NSA configurations. OFF-state can be enabled by PON pin.
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22
- Operating frequency range from 1164 to 1300MHz
- B9HF silicon germanium technology, 2kV HBM ESD protection (including AI-pin)
- RF output internally matched to 50 ohm
- Only one external matching component needed
- Supply voltage range from 1.1 to 3.3V at TA=25°C, VCC=1.2V, VPON=1.2V, f=1164 - 1300MHz
- Supply current is 4.4mA typ at ON-mode, TA=25°C, VCC=1.2V, VPON=1.2V, f=1164 - 1300MHz
- Insertion power gain is 17.6dB typ at f=1214MHz, TA=25°C, VCC=1.2V, VPON=1.2V
- Ultra small TSNP-6-10 leadless package
- Ambient temperature range from -40 to 85°C
Brīdinājumi
Stresses above the maximum values listed here may cause permanent damage to the device.
Tehniskie parametri
Frequency Min
1.164GHz
Gain
17.8dB
RF IC Case Style
TSNP
Supply Voltage Min
1.1V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Frequency Max
1.3GHz
Noise Figure Typ
0.6dB
No. of Pins
6Pins
Supply Voltage Max
3.3V
Operating Temperature Max
85°C
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000008