Drukāt lapu
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
Pieejams pasūtījumiem
Ražotāja standarta izpildes laiks: 10 nedēļa(-s)
Paziņot, kad atkal ir krājumā
Daudzums | |
---|---|
7500+ | 0,517 € |
22500+ | 0,507 € |
Cena par:Each (Supplied on Full Reel)
Minimāli: 7500
Vairāki: 7500
3 877,50 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.BGB707L7ESDE6327XTSA1
Pasūtījuma kods4319198
Tehnisko datu lapa
Frequency Min150MHz
Frequency Max10GHz
Gain27dB
Noise Figure Typ0.4dB
RF IC Case StyleTSLP
No. of Pins7Pins
Supply Voltage Min1.8V
Supply Voltage Max4V
Operating Temperature Min-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
BGB707L7ESDE6327XTSA1 is a general-purpose LNA MMIC with integrated ESD protection and active biasing. It is a high-performance low-noise amplifier (LNA) MMIC based on Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe: C) bipolar technology. Potential applications are Satellite navigation systems (e.g. GPS, GLONASS, BeiDou, Galileo), Wireless communications: WLAN 2.4GHz and 5-6GHz bands, broadband LTE or WiMAX LNA, ISM applications like RKE and smart meter, as well as for emerging wireless applications such as DVBTerrestrial.
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22
- Integrated ESD protection: 2kV HBM at all pins
- Supply voltage range from 1.8V to 4V
- Supply current in on-mode is 2.1mA typical at (VCC = 3V, TA = 25°C)
- Minimum noise figure is 0.4dB typical at (IC = 2.1mA, VC = 3V, f = 150MHz)
- Transducer gain is 17dB typical at (IC = 2.1mA, VC = 3V, f = 150MHz)
- Output 1dB gain compression point is 3.5dBm typical at (VC = 3V, f = 150MHz)
- Output 3rd order intercept point is 2dBm typical at (VC = 3V, f = 150MHz)
- Maximum power gain is 31.5dB typical at (IC = 2.1mA, VC = 3V, f = 150MHz)
- TSLP-7 package
Tehniskie parametri
Frequency Min
150MHz
Gain
27dB
RF IC Case Style
TSLP
Supply Voltage Min
1.8V
Operating Temperature Min
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Frequency Max
10GHz
Noise Figure Typ
0.4dB
No. of Pins
7Pins
Supply Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
150°C
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85423390
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000012
Produkta izsekojamība