Drukāt lapu
BSC014N04LSATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Surface Mount
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.BSC014N04LSATMA1
Pasūtījuma kods2450402
Zināms arī kāBSC014N04LS, SP000871196
Tehnisko datu lapa
11 085 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 5+ | 1,770 € |
| 50+ | 1,210 € |
| 250+ | 0,813 € |
| 1000+ | 0,592 € |
| 3000+ | 0,580 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 5
Vairāki: 5
8,85 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.BSC014N04LSATMA1
Pasūtījuma kods2450402
Zināms arī kāBSC014N04LS, SP000871196
Tehnisko datu lapa
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance1400µohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
The BSC014N04LS is a N-channel Power MOSFET features not only the industry's lowest RDS (ON) but also a perfect switching behaviour for fast switching applications. 15% lower RDS (ON) and 31% lower figure of merit (RDS (ON) x Qg) compared to alternative devices has been realized by advanced thin wafer technology.
- Optimized for synchronous rectification
- Integrated Schottky-like diode
- 100% Avalanche tested
- Superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Higher solder joint reliability due to enlarged source interconnection
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- Halogen-free
Lietošanas veidi
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
Brīdinājumi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehniskie parametri
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
1400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehniskā dokumentācija (3)
BSC014N04LSATMA1 alternatīvas
Atrasti 8 produkti
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.0002