Drukāt lapu
BSC080N12LSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 120 V, 99 A, 0.0065 ohm, TDSON, Surface Mount
4 697 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
Pieejams, kamēr ir noliktavā
| Daudzums | |
|---|---|
| 100+ | 1,430 € |
| 500+ | 1,150 € |
| 1000+ | 1,050 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 100
Vairāki: 1
148,00 € (bez PVN)
5,00 € pārtīšanas maksa tiks pievienota šī produkta cenai
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.BSC080N12LSGATMA1
Pasūtījuma kods3577275RL
Produktu klāstsOptiMOS 2
Zināms arī kāBSC080N12LS G, SP002256844
Tehnisko datu lapa
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds120V
Continuous Drain Current Id99A
Drain Source On State Resistance0.0065ohm
On Resistance Rds(on)0.0065ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.85V
Power Dissipation156W
Power Dissipation Pd156W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 2
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
BSC080N12LSGATMA1 alternatīvas
Atrasts 1 produkts
Produktu pārskats
Brīdinājumi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehniskie parametri
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
120V
Drain Source On State Resistance
0.0065ohm
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
156W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 2
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
99A
On Resistance Rds(on)
0.0065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.85V
Power Dissipation Pd
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000209