Drukāt lapu
BSC265N10LSFGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 40 A, 0.0265 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
7 286 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 50+ | 0,736 € |
| 250+ | 0,558 € |
| 1000+ | 0,386 € |
| 3000+ | 0,363 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 100
Vairāki: 5
78,60 € (bez PVN)
5,00 € pārtīšanas maksa tiks pievienota šī produkta cenai
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.BSC265N10LSFGATMA1
Pasūtījuma kods2617473RL
Produktu klāstsOptiMOS 2
Zināms arī kāBSC265N10LSF G, SP000379618
Tehnisko datu lapa
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.0265ohm
Transistor Case StylePG-TDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.85V
Power Dissipation78W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 2
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
- Optima's ™ 2 power transistor ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- N-channel, logic level
- Very low gate charge x R DS(on) product (FOM)
- Low on-resistance RDS(on)
- Qualified according to JEDEC for target applications
Brīdinājumi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehniskie parametri
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Transistor Case Style
PG-TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
78W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0265ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.85V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 2
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehniskā dokumentācija (1)
BSC265N10LSFGATMA1 alternatīvas
Atrasts 1 produkts
Saistītie produkti
Atrasti 3 produkti
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000151
Produkta izsekojamība