Drukāt lapu
BSL802SNH6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 7.5 A, 0.018 ohm, TSOP, Surface Mount
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.BSL802SNH6327XTSA1
Pasūtījuma kods2781056
Produktu klāstsOptiMOS 2
Zināms arī kāBSL802SN H6327, SP001101012
Tehnisko datu lapa
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id7.5A
Drain Source On State Resistance0.018ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage2.5V
Gate Source Threshold Voltage Max550mV
Power Dissipation2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 2
QualificationAEC-Q101
BSL802SNH6327XTSA1 alternatīvas
Atrasti 2 produkti
Tehniskie parametri
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.5A
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
2.5V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
550mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
OptiMOS 2
Tehniskā dokumentācija (3)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000013