Drukāt lapu
BSZ019N03LSATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 149 A, 1900 µohm, TSDSON-FL, Surface Mount
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.BSZ019N03LSATMA1
Pasūtījuma kods2443425
Produktu klāstsOptiMOS Series
Zināms arī kāBSZ019N03LS, SP000792362
Tehnisko datu lapa
3 311 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
.
.
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 1,050 € |
| 10+ | 0,692 € |
| 100+ | 0,560 € |
| 500+ | 0,516 € |
| 1000+ | 0,513 € |
| 5000+ | 0,490 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 1
Vairāki: 1
1,05 € (bez PVN)
rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.BSZ019N03LSATMA1
Pasūtījuma kods2443425
Produktu klāstsOptiMOS Series
Zināms arī kāBSZ019N03LS, SP000792362
Tehnisko datu lapa
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id149A
Drain Source On State Resistance1900µohm
Transistor Case StyleTSDSON-FL
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation69W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
- OptiMOS™ power N-channel MOSFET
- Optimized for high performance buck converter(Server,VGA), very Low FOMQ OSS for high frequency SMPS
- Low FOMSW for high frequency SMPS
- Excellent gate charge xRDS (on) product (FOM), very low on-resistance RDS(on) at VGS=4.5V
- 100% avalanche tested, superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- 1.8K/W maximum thermal resistance, junction - case
- 30V minimum drain-source breakdown voltage (VGS=0V, ID=1mA)
- 0.4 to 1.6ohm gate resistance range (Tj=25°C)
- PG-TSDSON-8 FL package, operating and storage temperature range from -55 to 150°C
Brīdinājumi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehniskie parametri
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
149A
Transistor Case Style
TSDSON-FL
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
69W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
1900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehniskā dokumentācija (2)
BSZ019N03LSATMA1 alternatīvas
Atrasti 7 produkti
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.0003
Produkta izsekojamība