Drukāt lapu
DF120R12W2H3B27BOMA1
IGBT Module, Three Phase Inverter, 50 A, 2.05 V, 180 W, 150 °C, Module
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.DF120R12W2H3B27BOMA1
Pasūtījuma kods3816937
Produktu klāstsEasyPACK 2B
Zināms arī kāSP001025032, DF120R12W2H3_B27
Tehnisko datu lapa
27 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 40,380 € |
| 5+ | 36,340 € |
| 10+ | 26,250 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
40,38 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.DF120R12W2H3B27BOMA1
Pasūtījuma kods3816937
Produktu klāstsEasyPACK 2B
Zināms arī kāSP001025032, DF120R12W2H3_B27
Tehnisko datu lapa
IGBT ConfigurationThree Phase Inverter
DC Collector Current50A
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.05V
Collector Emitter Saturation Voltage2.05V
Power Dissipation180W
Power Dissipation Pd180W
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 3 High Speed
Transistor MountingPanel
Product RangeEasyPACK 2B
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehniskie parametri
IGBT Configuration
Three Phase Inverter
Continuous Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.05V
Power Dissipation Pd
180W
Junction Temperature Tj Max
150°C
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
DC Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.05V
Power Dissipation
180W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Technology
IGBT 3 High Speed
Product Range
EasyPACK 2B
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Hungary
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Hungary
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):1.795
Produkta izsekojamība