Drukāt lapu
EVALPSE1BF12SICTOBO1
Evaluation Board, FF11MR12W1M1_B11/FF23MR12W1M1_B1, SiC MOSFET
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.EVALPSE1BF12SICTOBO1
Pasūtījuma kods3500939
Zināms arī kāSP001798382
Jūsu daļas numurs
Tehnisko datu lapa
2 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 262,28 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
262,28 € (bez PVN)
rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.EVALPSE1BF12SICTOBO1
Pasūtījuma kods3500939
Zināms arī kāSP001798382
Tehnisko datu lapa
Silicon ManufacturerInfineon
Silicon Core NumberFF11MR12W1M1_B11, FF23MR12W1M1_B11
Kit Application TypePower Management
Application Sub TypeSiC MOSFET Module
Kit ContentsEvaluation Board FF11MR12W1M1_B11/FF23MR12W1M1_B11
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produktu pārskats
Evaluation board for CoolSiC™ Easy1B half-bridge modules. This board has the purpose to enable the evaluation of the FF11MR12W1M1_B11 and FF23MR12W1M1_B11 CoolSiC™ MOSFET modules with EiceDRIVER™ 1200V isolated gate driver 1EDI60I12AF. The evaluation board allows the performance of double-pulse measurements as well as functional tests as DC/DC converter. Therefore the board is designed as bidirectional buck-boost converter. Target applications include charger, solar energy systems and UPS.
- Double pulse characterization
- Functional testing of the buck-boost operation using electrical loads at the input or output stage
- Maximum supply voltage of 900V
Tehniskie parametri
Silicon Manufacturer
Infineon
Kit Application Type
Power Management
Kit Contents
Evaluation Board FF11MR12W1M1_B11/FF23MR12W1M1_B11
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Silicon Core Number
FF11MR12W1M1_B11, FF23MR12W1M1_B11
Application Sub Type
SiC MOSFET Module
Product Range
-
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Germany
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Germany
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.25