Drukāt lapu
F3L25R12W1T4B27BOMA1
IGBT Module, Three level Inverter, 45 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Module
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.F3L25R12W1T4B27BOMA1
Pasūtījuma kods3514413
Zināms arī kāF3L25R12W1T4_B27, SP001056108
Tehnisko datu lapa
26 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 34,360 € |
| 5+ | 33,290 € |
| 10+ | 32,210 € |
| 50+ | 23,220 € |
| 100+ | 22,760 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
34,36 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.F3L25R12W1T4B27BOMA1
Pasūtījuma kods3514413
Zināms arī kāF3L25R12W1T4_B27, SP001056108
Tehnisko datu lapa
Transistor PolarityQuad N Channel
IGBT ConfigurationThree level Inverter
Continuous Collector Current45A
DC Collector Current45A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation215W
Power Dissipation Pd215W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins19Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
Brīdinājumi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehniskie parametri
Transistor Polarity
Quad N Channel
Continuous Collector Current
45A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation
215W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Junction Temperature Tj Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
IGBT Configuration
Three level Inverter
DC Collector Current
45A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation Pd
215W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
19Pins
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
-
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Germany
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Germany
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.4
Produkta izsekojamība