Drukāt lapu
FF1800R17IP5PBPSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 1.8 kA, 1.75 V, 175 °C, Module
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.FF1800R17IP5PBPSA1
Pasūtījuma kods3582455
Produktu klāstsPrimePACK 3+B
Zināms arī kāFF1800R17IP5P, SP001635768
Tehnisko datu lapa
Pieejams pasūtījumiem
Ražotāja standarta izpildes laiks: 22 nedēļa(-s)
Paziņot, kad atkal ir krājumā
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 822,050 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
822,05 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.FF1800R17IP5PBPSA1
Pasūtījuma kods3582455
Produktu klāstsPrimePACK 3+B
Zināms arī kāFF1800R17IP5P, SP001635768
Tehnisko datu lapa
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
DC Collector Current1.8kA
Continuous Collector Current1.8kA
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT TechnologyIGBT 5 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangePrimePACK 3+B
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
Brīdinājumi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehniskie parametri
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
Continuous Collector Current
1.8kA
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
DC Collector Current
1.8kA
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature Tj Max
175°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
IGBT Technology
IGBT 5 [Trench/Field Stop]
Product Range
PrimePACK 3+B
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Germany
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Germany
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85415000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.02
Produkta izsekojamība