Drukāt lapu
FF200R12KE4HOSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 240 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Module
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.FF200R12KE4HOSA1
Pasūtījuma kods2377248
Zināms arī kāFF200R12KE4, SP000370604
Tehnisko datu lapa
Pieejams pasūtījumiem
Ražotāja standarta izpildes laiks: 16 nedēļa(-s)
Paziņot, kad atkal ir krājumā
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 94,010 € |
| 5+ | 86,290 € |
| 10+ | 78,560 € |
| 50+ | 76,990 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
94,01 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.FF200R12KE4HOSA1
Pasūtījuma kods2377248
Zināms arī kāFF200R12KE4, SP000370604
Tehnisko datu lapa
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Transistor PolarityDual NPN
DC Collector Current240A
Continuous Collector Current240A
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Power Dissipation Pd1.1kW
Power Dissipation1.1kW
Junction Temperature Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
No. of Pins7Pins
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehniskie parametri
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
DC Collector Current
240A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation Pd
1.1kW
Junction Temperature Tj Max
150°C
Operating Temperature Max
150°C
No. of Pins
7Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
Dual NPN
Continuous Collector Current
240A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation
1.1kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Press Fit
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
-
Tehniskā dokumentācija (1)
FF200R12KE4HOSA1 alternatīvas
Atrasts 1 produkts
Saistītie produkti
Atrasti 2 produkti
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Hungary
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Hungary
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.25
Produkta izsekojamība