Drukāt lapu
75 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 163,080 € |
| 5+ | 155,900 € |
| 10+ | 148,710 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
163,08 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.FF400R12KE3HOSA1
Pasūtījuma kods2726138
Produktu klāsts62mm C
Zināms arī kāFF400R12KE3, SP000100781
Tehnisko datu lapa
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current580A
Continuous Collector Current580A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Power Dissipation Pd2kW
Power Dissipation2kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature Tj Max125°C
Operating Temperature Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationTab
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range62mm C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
FF400R12KE3HOSA1 is a 62mm 1200V, 400A dual IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT3 and emitter controlled high-efficiency diode.
- Superior solution for frequency controlled inverter drives
- UL/CSA certification with UL1557 E83336
- Operating temperature up to 125°C (max 150°C)
- Optimized switching characteristic like softness and reduced switching losses
- Existing packages with higher current capability
- Flexibility and highest reliability
- Optimal electrical performance
- 1200V collector-emitter voltage at Tvj = 25°C
- 580A continuous DC collector current at TC = 25°C, Tvj max = 150°C
- 2000W total power dissipation at TC = 25°C, Tvj max = 150
Brīdinājumi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehniskie parametri
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
DC Collector Current
580A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7V
Power Dissipation Pd
2kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Operating Temperature Max
125°C
IGBT Termination
Tab
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Product Range
62mm C
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
580A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Power Dissipation
2kW
Junction Temperature Tj Max
125°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehniskā dokumentācija (2)
FF400R12KE3HOSA1 alternatīvas
Atrasti 2 produkti
Saistītie produkti
Atrasts 1 produkts
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Germany
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Germany
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000337
Produkta izsekojamība