Drukāt lapu
FF450R12KE4EHOSA1
IGBT Module, Dual, Common Emitter, 520 A, 1.75 V, 2.4 kW, 150 °C, Module
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.FF450R12KE4EHOSA1
Pasūtījuma kods2781230
Produktu klāstsStandard 62mm C
Zināms arī kāFF450R12KE4_E, SP001186148
Tehnisko datu lapa
12 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 130,550 € |
| 5+ | 129,440 € |
| 10+ | 128,320 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
130,55 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.FF450R12KE4EHOSA1
Pasūtījuma kods2781230
Produktu klāstsStandard 62mm C
Zināms arī kāFF450R12KE4_E, SP001186148
Tehnisko datu lapa
IGBT ConfigurationDual, Common Emitter
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current520A
Continuous Collector Current520A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Power Dissipation Pd2.4kW
Power Dissipation2.4kW
Operating Temperature Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationTab
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeStandard 62mm C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
62mm C-series module with fast trench/fieldstop IGBT4 and emitter controlled HE diode suitable for use in high frequency switching application, high power converters, solar applications and UPS systems.
- Increased DC link voltage
- Trench IGBT 4
- 4KV AC1 min insulation
- Package with CTI <gt/> 400
- High Creepage and clearance distances
- Isolated base plate
- Copper base plate
Brīdinājumi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehniskie parametri
IGBT Configuration
Dual, Common Emitter
DC Collector Current
520A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation Pd
2.4kW
Operating Temperature Max
150°C
Junction Temperature Tj Max
150°C
IGBT Termination
Tab
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
Standard 62mm C
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
520A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation
2.4kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehniskā dokumentācija (3)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Hungary
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Hungary
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.015
Produkta izsekojamība