Drukāt lapu
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.FF600R17ME4PB11BOSA1
Pasūtījuma kods2781236
Produktu klāstsEconoDUAL 3
Zināms arī kāFF600R17ME4P_B11, SP001102664
Tehnisko datu lapa
Vairs nav pieejams noliktavā
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.FF600R17ME4PB11BOSA1
Pasūtījuma kods2781236
Produktu klāstsEconoDUAL 3
Zināms arī kāFF600R17ME4P_B11, SP001102664
Tehnisko datu lapa
IGBT ConfigurationDual
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current600A
Continuous Collector Current600A
Collector Emitter Saturation Voltage1.95V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.95V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEconoDUAL 3
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
FF600R17ME4PB11BOSA1 alternatīvas
Atrasts 1 produkts
Produktu pārskats
EconoDUAL™ 3 module with trench/fieldstop IGBT 4 and emitter controlled diode and PressFIT/NTC/TIM suitable for use with High power converters and wind turbines.
- High current density
- Low VCEsat
- VCEsat with positive temperature coefficient
- High power density
- Isolated base plate
- Standard housing
- Pre-applied thermal interface material
Brīdinājumi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehniskie parametri
IGBT Configuration
Dual
DC Collector Current
600A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.95V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature Tj Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
IGBT Termination
Press Fit
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
EconoDUAL 3
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
600A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.95V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Germany
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Germany
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.410501
Produkta izsekojamība