Drukāt lapu
FP35R12KT4BPSA1
IGBT Module, Seven Pack, 35 A, 1.85 V, 210 W, 150 °C, Module
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.FP35R12KT4BPSA1
Pasūtījuma kods3703592
Produktu klāstsEconoPIM 2
Zināms arī kāFP35R12KT4, SP005422428
Tehnisko datu lapa
3 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 69,560 € |
| 5+ | 62,230 € |
| 10+ | 54,890 € |
| 50+ | 53,790 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
69,56 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.FP35R12KT4BPSA1
Pasūtījuma kods3703592
Produktu klāstsEconoPIM 2
Zināms arī kāFP35R12KT4, SP005422428
Tehnisko datu lapa
IGBT ConfigurationSeven Pack
DC Collector Current35A
Continuous Collector Current35A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation Pd210W
Power Dissipation210W
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEconoPIM 2
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehniskie parametri
IGBT Configuration
Seven Pack
Continuous Collector Current
35A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation
210W
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
DC Collector Current
35A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation Pd
210W
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
EconoPIM 2
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Hungary
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Hungary
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.25
Produkta izsekojamība