Drukāt lapu
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.FP40R12KE3BOSA1
Pasūtījuma kods1496944
Produktu klāstsEconoPIM 2
Zināms arī kāFP40R12KE3, SP000083565
Vairs netiek ražots
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.FP40R12KE3BOSA1
Pasūtījuma kods1496944
Produktu klāstsEconoPIM 2
Zināms arī kāFP40R12KE3, SP000083565
IGBT ConfigurationPIM Three Phase Input Rectifier
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current55A
Continuous Collector Current55A
Collector Emitter Saturation Voltage2.3V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.3V
Power Dissipation200W
Power Dissipation Pd200W
Operating Temperature Max125°C
Junction Temperature Tj Max125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleEconoPIM
No. of Pins24Pins
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEconoPIM 2
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
FP40R12KE3BOSA1 alternatīvas
Atrasts 1 produkts
Produktu pārskats
The FP40R12KE3 is a 3-phase 1200V PIM IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT3 emitter controlled diode and NTC. It features low stray inductance module design and copper base plate for optimized heat spread as well as solderable pins.
- High reliability and power density
- Low switching losses
- High switching frequency
- Configuration flexibility
- Compact module concept
Lietošanas veidi
Power Management, Medical
Brīdinājumi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehniskie parametri
IGBT Configuration
PIM Three Phase Input Rectifier
DC Collector Current
55A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.3V
Power Dissipation
200W
Operating Temperature Max
125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
No. of Pins
24Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
55A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.3V
Power Dissipation Pd
200W
Junction Temperature Tj Max
125°C
Transistor Case Style
EconoPIM
IGBT Termination
Press Fit
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Product Range
EconoPIM 2
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Germany
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Germany
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.18
Produkta izsekojamība