Drukāt lapu
FS820R08A6P2BBPSA1
IGBT Module, AEC-Q101, Six Pack [Full Bridge], 450 A, 1.1 V, 714 W, 175 °C, Module
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.FS820R08A6P2BBPSA1
Pasūtījuma kods3155176
Produktu klāstsHybridPACK
Zināms arī kāFS820R08A6P2B, SP001499708
Tehnisko datu lapa
Pieejams pasūtījumiem
Ražotāja standarta izpildes laiks: 28 nedēļa(-s)
Paziņot, kad atkal ir krājumā
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 291,280 € |
| 5+ | 290,430 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
291,28 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.FS820R08A6P2BBPSA1
Pasūtījuma kods3155176
Produktu klāstsHybridPACK
Zināms arī kāFS820R08A6P2B, SP001499708
Tehnisko datu lapa
IGBT ConfigurationSix Pack [Full Bridge]
Continuous Collector Current450A
DC Collector Current450A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.1V
Collector Emitter Saturation Voltage1.1V
Power Dissipation Pd714W
Power Dissipation714W
Junction Temperature Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage V(br)ceo750V
Collector Emitter Voltage Max750V
IGBT TechnologyIGBT EDT2
Transistor MountingPanel
Product RangeHybridPACK
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
Brīdinājumi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehniskie parametri
IGBT Configuration
Six Pack [Full Bridge]
DC Collector Current
450A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.1V
Power Dissipation
714W
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage Max
750V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Collector Current
450A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.1V
Power Dissipation Pd
714W
Junction Temperature Tj Max
175°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
750V
IGBT Technology
IGBT EDT2
Product Range
HybridPACK
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Germany
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Germany
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.01
Produkta izsekojamība