Drukāt lapu
GS0650146LTRXUMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Surface Mount
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
3 000 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 4,150 € |
| 10+ | 3,560 € |
| 100+ | 3,060 € |
| 500+ | 2,990 € |
| 1000+ | 2,930 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 1
Vairāki: 1
4,15 € (bez PVN)
rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.GS0650146LTRXUMA1
Pasūtījuma kods4715936
Tehnisko datu lapa
Drain Source Voltage Vds700V
Continuous Drain Current Id15.2A
Drain Source On State Resistance0.138ohm
Typical Gate Charge2.7nC
Transistor Case StylePDFN
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehniskie parametri
Drain Source Voltage Vds
700V
Drain Source On State Resistance
0.138ohm
Transistor Case Style
PDFN
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
15.2A
Typical Gate Charge
2.7nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehniskā dokumentācija (2)
GS0650146LTRXUMA1 alternatīvas
Atrasts 1 produkts
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Thailand
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Thailand
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jāiesaka
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000001
Produkta izsekojamība