Drukāt lapu
IGB15N60TATMA1
IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IGB15N60TATMA1
Pasūtījuma kods1832353
Zināms arī kāIGB15N60T, SP000054921
Tehnisko datu lapa
645 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 1,890 € |
| 10+ | 1,210 € |
| 100+ | 0,815 € |
| 500+ | 0,647 € |
| 1000+ | 0,619 € |
| 5000+ | 0,590 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
1,89 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IGB15N60TATMA1
Pasūtījuma kods1832353
Zināms arī kāIGB15N60T, SP000054921
Tehnisko datu lapa
Continuous Collector Current15A
Collector Emitter Saturation Voltage2.05V
Power Dissipation130W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
The IGB15N60T is a Low Loss IGBT in TRENCHSTOP™ and field-stop technology. The TRENCHSTOP™ IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of Trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-ON losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
- Lowest Vce (sat) drop for lower conduction losses
- Low switching losses
- Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vce (sat)
- Very soft and fast recovery anti-parallel emitter controlled diode
- High ruggedness, temperature stable behaviour
- Low EMI emissions
- Low gate charge
- Very tight parameter distribution
- Highest efficiency - Low conduction and switching losses
- High device reliability
- 5μs Short-circuit withstand time
- Green product
- Halogen-free
Lietošanas veidi
Power Management, Alternative Energy, Consumer Electronics, HVAC, Industrial
Tehniskie parametri
Continuous Collector Current
15A
Power Dissipation
130W
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
2.05V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehniskā dokumentācija (1)
Saistītie produkti
Atrasti 2 produkti
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Philippines
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Philippines
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.00143
Produkta izsekojamība