Drukāt lapu
IGC037S12S1XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 120 V, 71 A, 0.0037 ohm, 10 nC, TSON, Surface Mount
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IGC037S12S1XTMA1
Pasūtījuma kods4680817RL
Zināms arī kāIGC037S12S1, SP006027453
Tehnisko datu lapa
4 990 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 100+ | 2,430 € |
| 500+ | 2,040 € |
| 1000+ | 1,740 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 150
Vairāki: 1
364,50 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IGC037S12S1XTMA1
Pasūtījuma kods4680817RL
Zināms arī kāIGC037S12S1, SP006027453
Tehnisko datu lapa
Drain Source Voltage Vds120V
Continuous Drain Current Id71A
Drain Source On State Resistance0.0037ohm
Typical Gate Charge10nC
No. of Pins6Pins
Tehniskie parametri
Drain Source Voltage Vds
120V
Drain Source On State Resistance
0.0037ohm
No. of Pins
6Pins
Continuous Drain Current Id
71A
Typical Gate Charge
10nC
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.00001