Drukāt lapu
IGLD60R190D1AUMA3
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Surface Mount
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IGLD60R190D1AUMA3
Pasūtījuma kods3775954RL
Produktu klāstsCoolGaN
Zināms arī kāSP005557217, IGLD60R190D1
Tehnisko datu lapa
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.19ohm
On Resistance Rds(on) Max0.19ohm
Typical Gate Charge3.2nC
Transistor Case StyleLSON
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeCoolGaN
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
IGLD60R190D1AUMA3 alternatīvas
Atrasts 1 produkts
Tehniskie parametri
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Typical Gate Charge
3.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Drain Current Id
10A
On Resistance Rds(on) Max
0.19ohm
Transistor Case Style
LSON
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Philippines
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Philippines
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.0001
Produkta izsekojamība