Drukāt lapu
IKW40N120H3FKSA1
IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IKW40N120H3FKSA1
Pasūtījuma kods1832351
Zināms arī kāIKW40N120H3, SP000674416
Tehnisko datu lapa
10 032 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 7,490 € |
| 5+ | 6,960 € |
| 10+ | 6,420 € |
| 50+ | 4,590 € |
| 100+ | 4,170 € |
| 250+ | 4,160 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
7,49 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IKW40N120H3FKSA1
Pasūtījuma kods1832351
Zināms arī kāIKW40N120H3, SP000674416
Tehnisko datu lapa
Continuous Collector Current40A
Collector Emitter Saturation Voltage2.4V
Power Dissipation483W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
The IKW40N120H3 is a 1200V Discrete IGBT with very soft, fast recovery anti-parallel diode designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching at frequencies below 70kHz. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behaviour and thus leading to low turn off losses. Discrete IGBT is ideal for hard switching applications as well as soft switching applications and other resonant applications.
- Low switching losses for high efficiency
- Fast switching behaviour with low EMI emissions
- Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
- Short circuit capability
- Excellent performance
- Low switching and conduction losses
Lietošanas veidi
Power Management, Alternative Energy
Tehniskie parametri
Continuous Collector Current
40A
Power Dissipation
483W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
2.4V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Tehniskā dokumentācija (1)
Saistītie produkti
Atrasti 3 produkti
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Philippines
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Philippines
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.00542