Drukāt lapu
IMBG65R050M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IMBG65R050M2HXTMA1
Pasūtījuma kods4378736
Produktu klāstsCoolSiC Gen 2 Series
Zināms arī kāIMBG65R050M2H, SP005917208
Tehnisko datu lapa
Iepakojuma iespējas
746 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 6,890 € |
| 5+ | 5,930 € |
| 10+ | 4,960 € |
| 50+ | 4,430 € |
| 100+ | 3,900 € |
| 250+ | 3,820 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 1
Vairāki: 1
6,89 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IMBG65R050M2HXTMA1
Pasūtījuma kods4378736
Produktu klāstsCoolSiC Gen 2 Series
Zināms arī kāIMBG65R050M2H, SP005917208
Tehnisko datu lapa
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id41A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.046ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation172W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehniskie parametri
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
41A
Drain Source On State Resistance
0.046ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
172W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.001
Produkta izsekojamība