Drukāt lapu
IMCQ120R017M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 118 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, HDSOP
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IMCQ120R017M2HXTMA1
Pasūtījuma kods4733922
Produktu klāstsCoolSiC G2 Series
Tehnisko datu lapa
750 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 20,810 € |
| 5+ | 18,150 € |
| 10+ | 15,710 € |
| 50+ | 14,600 € |
| 100+ | 13,450 € |
| 250+ | 13,400 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 1
Vairāki: 1
20,81 € (bez PVN)
rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IMCQ120R017M2HXTMA1
Pasūtījuma kods4733922
Produktu klāstsCoolSiC G2 Series
Tehnisko datu lapa
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id118A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0171ohm
Transistor Case StyleHDSOP
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation580W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC G2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tehniskie parametri
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
118A
Drain Source On State Resistance
0.0171ohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
HDSOP
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
580W
Product Range
CoolSiC G2 Series
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jāiesaka
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000001
Produkta izsekojamība