Drukāt lapu
IMDQ65R010M2HXUMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 154 A, 650 V, 0.091 ohm, HDSOP
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IMDQ65R010M2HXUMA1
Pasūtījuma kods4667118
Produktu klāstsCoolSiC G2 Series
Zināms arī kāIMDQ65R010M2H, SP006051117
Tehnisko datu lapa
520 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 20,260 € |
| 5+ | 18,770 € |
| 10+ | 17,270 € |
| 50+ | 16,110 € |
| 100+ | 14,940 € |
| 250+ | 14,640 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 1
Vairāki: 1
20,26 € (bez PVN)
rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IMDQ65R010M2HXUMA1
Pasūtījuma kods4667118
Produktu klāstsCoolSiC G2 Series
Zināms arī kāIMDQ65R010M2H, SP006051117
Tehnisko datu lapa
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id154A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.091ohm
Transistor Case StyleHDSOP
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation651W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC G2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehniskie parametri
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
154A
Drain Source On State Resistance
0.091ohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
HDSOP
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
651W
Product Range
CoolSiC G2 Series
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000001
Produkta izsekojamība